ZXMN3A14FTA 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),适合多种电子应用。它由美台(DIODES)公司生产,旨在提供优异的电性能、可靠性和效率,尤其在电源管理和功率开关领域表现突出。
漏源电压(Vdss): ZXMN3A14FTA 具有最大漏源电压为 30V,使其适用于多种低压电源和信号开关的应用场合。
持续漏电流(Id): 该器件支持在 25°C 时的连续漏电流达到 3.2A,可以满足许多功率控制和驱动应用的需求。
导通电阻(Rds(on)): 在 10V 的栅源电压下,最大导通电阻为 65 毫欧,这意味着在开关状态时,该 MOSFET 能极大地降低功率损耗,提高整体功率转换效率。
阈值电压(Vgs(th)): 在 250µA 器件工作时,Vgs(th) 的最大值为 1V,保证了其在较低的栅压下有效开启,适合低电压驱动的应用场景。
栅极电荷(Qg): 在 10V 下的栅极电荷为 8.6nC,较低的栅极电荷使得该 MOSFET 具备快速开关能力,减少了开关损耗,适合高频切换应用。
输入电容(Ciss): 在 15V 时,输入电容(Ciss)高达 448pF,提供良好的信号响应特性,使其能够在不同频率下表现稳定。
功率耗散: ZXMN3A14FTA 的最大功率耗散为 1W,确保在正常工作环境下具备良好的散热能力,延长器件的使用寿命。
工作温度范围: 工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,可以满足严苛环境条件下的应用需求。
封装类型: 该 MOSFET 采用 SOT-23-3 表面贴装封装,体积小、易于集成,适合空间受限的电子产品。
ZXMN3A14FTA MOSFET 主要应用于以下领域:
ZXMN3A14FTA 是一款性能卓越、适用范围广泛的 N 通道 MOSFET,凭借其良好的电气性能、低功耗以及较高的工作温度范围,使其在现代电子设计中成为引导新应用的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制领域,都能发挥出卓越的性能。对于设计师而言,选择 ZXMN3A14FTA 作为功率开关解决方案,无疑会提高整个电路的运作效率和可靠性。