描述：数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-323-3
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200+
0.234
1500+
0.203
3000+
0.18
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)35@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)2.5V@20mA,300mV
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)650mV@100uA,5V
输入电阻1kΩ
工作温度-65℃~+150℃
PDTA113ZU,115 产品概述
一、产品简介
PDTA113ZU,115 是由 Nexperia USA Inc. 提供的一种高性能 PNP 型数字晶体管，具有内置的预偏置功能，广泛应用于各种电子设备中。其设计旨在实现高效的信号放大和开关功能，特别适合低功耗和小型化的电子产品。该产品采用表面贴装型封装，具体为 SOT-323，适合高密度的电路布局。
二、主要参数
- 制造商: Nexperia USA Inc.
- 零件状态: 有源
- 晶体管类型: PNP - 预偏压
- DC 电流增益 (hFE): 最小值为 35，测量条件为 5mA 集电极电流和 5V 的电压。
- Vce 饱和压降: 在 500µA 基极电流和 10mA 集电极电流时，最大值为 150mV，这意味着在开关状态下的功耗极低。
- 集电极截止电流: 最大值仅为 1µA，非常适合用于敏感应用中，能够有效减少漏电流。
- 最大集电极电流 (Ic): 100mA，能够满足大多数低功耗电路的需求。
- 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V，提供一定的过压保护能力。
- 封装类型: SC-70，SOT-323，符合现代电子元器件的小型化趋势。
- 功率最大值: 200mW，适合小型电子设备的设计。
三、应用场景
PDTA113ZU,115 产品由于其低功耗、高增益以及紧凑的封装，适合于如下应用场景：
- 消费电子: 适用于智能手机、平板电脑及其他消费类电子产品中的信号处理电路或开关控制。
- 工业控制: 在工业自动化设备中，可以为传感器、执行器等提供可靠的驱动能力。
- 汽车电子: 适用于车载电子设备，包括车灯控制、仪表盘显示等。
- 便携式设备: 由于其低功耗特性，广泛应用于可穿戴设备及其他便携式电子产品中。
- 通信设备: 在RF和基带信号处理电路中表现出色，能够有效实现信号放大。
四、安装与使用
PDTA113ZU,115 的表面贴装型封装设计使其易于在自动化设备中进行大规模生产，同时也便于手动焊接。使用时需注意：
- 选择合适的基极电阻: 基极电阻 (R1) 和发射极电阻 (R2) 的选择会影响电流增益和集电极电流的设置。推荐使用 1 kOhm 的基极电阻和 10 kOhm 的发射极电阻以确保最佳性能。
- 确保电流和功率在安全范围内: 在设计电路时确保集电极电流和功率均在规定最大值以内，以避免器件损坏。
五、总结
PDTA113ZU,115 是一种功能强大的 PNP 型数字晶体管，凭借其优异的 DC 电流增益、低饱和压降和小巧的 SC-70/SOT-323 封装，成为现代电子设计中不可或缺的构件。其广泛的应用领域兼顾了消费电子、工业控制和通信设备的需求，展现出极高的适用性和市场价值。选择 Nexperia 的 PDTA113ZU,115，能够为设计者提供卓越的性能和可靠性，助力实现高效的电子解决方案。