STQ1NC45R-AP

STQ1NC45R-AP 产品概述

一、概述

STQ1NC45R-AP是一款高性能的N通道MOSFET，属于意法半导体（STMicroelectronics）生产的产品。该器件专为高电压和中功率应用而设计，具有优秀的电气性能和可靠性。其最大漏源电压（VDS）高达450V，连续漏极电流（ID）为500mA，非常适合各种工业和消费电子领域的应用。

二、主要参数

1. FET类型：N通道MOSFET
2. 漏源电压（VDS）：450V
3. 连续漏极电流（ID）：500mA（在冷却条件下）
4. 导通电阻（RDS(on)）：在10V驱动电压和500mA电流下，最大值为4.5Ω
5. 门源阈值电压（Vgs(th)）最大值：3.7V（在250μA时）
6. 驱动电压：可在±30V范围内工作
7. 栅极电荷（Qg）：7nC @ 10V
8. 输入电容（Ciss）：在25V下最大值为160pF
9. 功率耗散：最大功率为3.1W（在冷却条件下）
10. 工作温度范围：-65°C至150°C
11. 封装类型：TO-92-3

三、应用场景

STQ1NC45R-AP广泛应用于要求高电压和适度电流的场合，如：

• 开关电源（SMPS）
• 直流-直流转换器
• 电机驱动
• 感应加热设备
• 高频开关电路 在电源管理、传感器和驱动器等领域，STQ1NC45R-AP均可为系统提供优异的性能。

四、性能优势

1. 高电压特性：450V的漏源电压使其适合在高电压应用中使用，能够满足许多工业设备的需求。
2. 低导通电阻：通过优化的结构设计，STQ1NC45R-AP在于高电流工作中展现出较低的导通电阻，减少开关损耗，提高系统效率。
3. 广泛的工作温度：设计的工作温度范围从-65°C到150°C，使其在恶劣环境下仍能可靠工作，提升了应用的灵活性和安全性。
4. 易于驱动：该器件在10V驱动电压下工作稳定，使得控制电路设计更为简便。

五、安装与封装

STQ1NC45R-AP采用TO-92封装，这不仅便于制造与安装，还能够有效散热，尤其是在工作电流较大的情况下，利于维护器件的稳定性和安全。此外，TO-92封装的外形设计使得其兼容于多种线路板设计，适应性强。

六、总结

STQ1NC45R-AP N通道MOSFET在高电压和中电流应用领域展现出卓越的性能和可靠性，其在多个关键参数上的优化设计使其在开关电源、直流-直流转换器和电机驱动应用中具有显著优势。通过结合其广泛的工作温度范围和易于使用的驱动特性，STQ1NC45R-AP是各种电子应用中不可或缺的重要元器件。无论是在新产品开发还是在现有产品的技术升级中，STQ1NC45R-AP都会是一个理想的选择。