型号:
BSC026NE2LS5ATMA1
品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TDSON-8
批次:-
包装:编带
重量:1g
描述:With the OptiMOS™ 5 25V and 30V product family, Infineon offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation.
产品概述:BSC026NE2LS5ATMA1
BSC026NE2LS5ATMA1 是英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,属于 OptiMOS™ 5 系列,特别针对高效能和高功率密度的应用而设计。其关键参数及特性使其成为功率管理和高频开关应用的理想选择,适用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
基本参数
- FET 类型: BSC026NE2LS5ATMA1 是 N 通道 MOSFET,能够有效地处理电流和电压,使其在多种应用中表现出色。
- 漏源电压 (Vdss): 该器件的最大漏源电压为 25V,能够满足中低电压应用的需求。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下,其连续漏极电流可达到 24A,在更高的温度下(热载体温度 Tc)可达 82A,这一特性使其在高负载条件下仍能稳定工作。
驱动电压及电阻
- 驱动电压: 在 4.5V 和 10V 驱动电压下,该器件具备较好的导通性,最大 Rds(on) 将保持在低于 2.6 毫欧(在 30A 和 10V 条件下测试),这为功率损耗的最小化提供了良好的基础。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 2V(@ 250µA),这一点确保了器件能够在较低电压下迅速导通。
电气特性
- 栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 16nC(在 10V 条件下),这能够大幅降低开关损耗,提供更高的开关频率,适应现代高效转换器的需求。
- 输入电容 (Ciss): 该器件在 12V 下的最大输入电容为 1100pF,这一电容值在高频应用中仍保持合适的响应速度。
耐受能力及应用
- Vgs(最大值): 器件的栅源电压(Vgs)最大承受值为 ±16V,符合多种安全设计要求。
- 功率耗散: 器件的最大功率耗散能力分别为 2.5W(在环境温度 Ta 下)和 29W(在热载体温度 Tc 下),使其在高温环境中也能稳定工作。
- 工作温度: BSC026NE2LS5ATMA1 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,足以满足汽车和工业领域严苛的环境条件。
封装与安装
- 封装: 此器件采用 TDSON-8 封装,具有紧凑的外形和优秀的热管理性能,适合表面贴装(SMD)技术,大幅度节省电路板空间。
- 安装类型: 表面贴装型设计,便于集成到各种电路中,提高了设计的灵活性。
应用场景
BSC026NE2LS5ATMA1 广泛应用于以下几个方面:
- 开关电源: 适用于高效DC-DC转换器、AC-DC电源模块,能够提升变换效率,降低能耗。
- 电动汽车: 在电池管理系统和动力驱动中,提供高电流处理能力和低导通损耗,提升续航表现。
- 工业控制: 在伺服驱动器、马达控制等领域,提供强大的驱动能力和安全性。
总结
BSC026NE2LS5ATMA1 是一款具有卓越性能的 N 通道 MOSFET,适配当今市场对高效率、高可靠性元器件的需求。凭借其低导通电阻、高电流处理能力及广泛的工作温度范围,此元件无疑是在高性能电源管理解决方案中不可或缺的一部分。无论是在消费者电子产品还是在严苛的工业应用中,BSC026NE2LS5ATMA1 都能提供卓越且可靠的服务,是工程师优先考虑的选择。