型号:

AON2406

品牌:AOS
封装:6-DFN-EP(2x2)
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
AON2406 产品实物图片
AON2406 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.8W 20V 8A 1个N沟道 DFN-6(2x2)
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.954
3000+
0.904
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)24mΩ@1.5V,1A
功率(Pd)2.8W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)1.14nF
反向传输电容(Crss@Vds)110pF
工作温度-55℃~+150℃

AON2406 MOSFET 产品概述

概述 AON2406 是 AOS 公司推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。其设计规格使其适用于各种中小功率电子应用,尤其在开关电源、DC-DC 转换器和其他功率管理电路中展现出极高的效率和可靠性。AON2406 的封装采用 6 引脚 DFN-EP(2x2) 尺寸,适合表面贴装技术(SMT),在设计上可以节省空间,并提供良好的散热性能。

关键参数 AON2406 的最大漏极电流 (Id) 为 8A,漏源电压 (Vdss) 最高可达 20V,实现了在宽广的工作范围内高效运行。其导通电阻 (Rds On) 为 12.5 毫欧,在 4.5V 驱动下的 8A 电流下表现出优秀的低导通损耗特性,意味着在高负荷条件下较少的能量损失。此外,AON2406 的功率耗散能力可达到最大 2.8W,确保 MOSFET 在高温和高负载情况下能稳定工作。

电气特性 在电气特性方面,AON2406 提供了多个重要参数:

  • 输入电容(Ciss)为 1140pF(在 10V 下测量),保证了快速开关操作,适合高频应用。
  • 栅极电压 (Vgs) 的最大值为 ±8V,使其在一般驱动条件下具有良好的兼容性。
  • 栅极电荷 (Qg) 在 4.5V 时最高为 18nC,这个值较低意味着在开关周期中需要的驱动功耗也较低,有助于提高整体电路效率。

工作条件 AON2406 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,极大地拓宽了其适用的环境条件,适用于工业、汽车、消费电子等多种应用场景。无论是在高温还是低温条件下,AON2406 均能保持稳定工作。

应用场景

  1. 开关电源:由于其低 Rds On 和高输入阻抗特性,AON2406 最适合用于开关电源电路,提供高效的功率转换,降低能量损失。
  2. DC-DC 转换器:在 DC-DC 转换器中,使用 AON2406 可以有效提升转换效率,满足现代电子设备对电源管理模块的高要求。
  3. 电动工具和电机驱动:该 MOSFET 的高电流承受能力使其能在电动工具和电机驱动系统中提供可靠的性能,确保强劲的动力输出。
  4. 消费电子产品:如平板电脑和智能手机等设备的充电管理系统中,AON2406 的轻巧封装和低功耗特性使其成为理想选择。

总结 总体而言,AON2406 MOSFET 是一款结合高性能和高可靠性的 N 沟道场效应管,其低导通电阻、高电流承载能力以及宽广的工作温度范围使得它在各类电子应用中表现出色。无论是对于需要高速度、高效率的电力转换,还是对于响应时间敏感的驱动应用,AON2406 都能够提供稳定的解决方案。借助尖端的封装设计和卓越的电气特性,AON2406 将助力现代电子设备在性能和效率上的不断提升。