IRLB3813PBF

产品概述：IRLB3813PBF N通道MOSFET

1. 引言

IRLB3813PBF 是一款高性能的N通道MOSFET，由英飞凌（Infineon）公司生产。这款MOSFET以其卓越的电流承载能力、优秀的导通特性和宽广的工作温度范围，广泛应用于酷高效率的电源管理、马达驱动和各种高频开关电路中。

2. 基本参数

类型与封装
IRLB3813PBF 是一种N通道MOSFET，采用TO-220AB封装。这种封装形式不仅提供了有效的散热性能，也方便了集成在各种电路板中。

电气特性

• 漏源电压（Vdss）: 额定为30V，适用于中低压应用。
• 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，最大连续漏极电流可达260A（以冷却片为基础温度，Tc）。
• 导通电阻（Rds On）: 当栅极驱动电压为10V时，最大导通电阻为1.95毫欧。低Rds On值确保了设备在导通时的能量损耗极小，从而提高了整体系统的效率。

驱动电压及阈值电压

• 最佳操作驱动电压为4.5V至10V，这使得该器件可以在广泛的控制信号下得到良好的性能。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.35V，表明当栅极电压超过该阈值时，MOSFET能够有效导通。

栅极电荷和输入电容

• 栅极电荷（Qg）最大值为86nC，当在4.5V时表现出较快的开关特性。
• 输入电容（Ciss）在15V下最大为8420pF，适合高频应用。

3. 额外特性

功率耗散
IRLB3813PBF 在Tc下的功率耗散能力最大可达230W，确保了在高负载条件下仍能稳定运行，适用于高功率系统。

广泛的工作温度范围
该MOSFET可以在-55°C到175°C的温度范围内工作，极大的展开了应用环境，适合在严苛的工业或军事环境中使用。

电气安规与可靠性
IRLB3813PBF 设计遵循国际电工委员会（IEC）标准，提高了器件的可靠性，能够满足现代电气设备的安全要求。

4. 应用领域

由于其优秀的技术规格，IRLB3813PBF 可广泛应用于：

• 开关电源: 在开关电源（SMPS）中起到关键的电流控制作用，以提高能效和降低损耗。
• 电动机驱动器: 具有高电流承载能力，非常适合用于电动机驱动的控制系统。
• 高频应用: 由于其低的栅极电荷和输入电容，适用于高频开关电路。

5. 结论

IRLB3813PBF 是一款出色的N通道MOSFET，凭借其优越的电气特性、宽广的温度范围和卓越的功率处理能力，提供了广泛的应用可能性。选择IRLB3813PBF 可以在提高系统效率的同时，确保设备在严苛条件下的稳定性与可靠性。对于需要高性能、高可靠性的应用场景，该MOSFET无疑是值得信赖的解决方案。