描述：场效应管(MOSFET) 45W 30V 57A 1个N沟道 SOT1210
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1500+
1.21
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)57A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.6mΩ@10V,15A
功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@1mA
PSMN7R5-30MLDX 产品概述
概述
PSMN7R5-30MLDX 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，该器件专为高效电源管理与开关应用而设计，具备良好的热性能和高电流处理能力。其额定工作参数使其在众多应用场景中都表现出色，充分满足现代电子产品对高效能和小型化的需求。
关键参数
- 制造商: Nexperia USA Inc.
- 器件状态: 有源
- FET 类型: N 通道
- 封装类型: LFPAK33，符合 SOT-1210 封装标准
- 驱动电压: 适用的栅极驱动电压为 4.5V 和 10V
- 连续漏极电流 (Id): 57A（在 Tc 的情况下）
- 导通电阻 (Rds On): 最大值为 7.6 毫欧，适用于 15A 和 10V 的驱动电压
- 漏源电压 (Vdss): 30V
- 功率耗散: 最大功率耗散为 45W（在 Tc 条件下）
- 工作温度范围: 从 -55°C 至 175°C，满足严苛的环境条件
- 栅极电压 (Vgs): 最大值为 ±20V
- 导通电压阈值 (Vgs(th)): 最大值为 2.2V @ 1mA
- 栅极电荷 (Qg): 11.3nC @ 10V，确保快速开关性能
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 655pF @ 15V
应用领域
PSMN7R5-30MLDX 适用于多种应用，尤其是在电源转换和电机控制等领域。由于其高连续电流能力和低导通电阻特性，该 MOSFET 可以有效减少开关损耗，从而提高整体能量效率，适合用于：
- DC-DC 转换器
- 合成电源管理 IC
- 电机驱动器
- LED 驱动电源
- 逆变器和电源分配设备
性能优势
高电流处理能力: PSMN7R5-30MLDX 能够承受高达 57A 的连续漏电流，使其适用于高功率应用，同时也降低了整体设计的复杂性。
优良的热管理: 该器件具有出色的功率耗散能力（最高可达 45W），在高低温环境下的可靠性表现良好，特别适合在温度波动大的环境中使用。
低导通电阻: 最大导通电阻为 7.6 毫欧，可以显著降低在高电流下的功耗，从而提升整体的效率。
高可靠性和耐用性: 工作温度范围广（-55°C ~ 175°C）保证了器件在极端条件下的持久稳定性。
快速开关性能: 较小的栅极电荷与输入电容使得 PSMN7R5-30MLDX 临界优于快速开关性能，能有效减少开关过程中产生的损耗。
结论
PSMN7R5-30MLDX 是一种能够在各种高效电源转换和电机控制应用中表现卓越的 MOSFET。其卓越的电气特性和广泛的工作条件适应性，使其成为设计师在构建高效能、可靠性和经济性的电子产品时的首选器件。无论是在工业设备、消费电子还是汽车电子领域，PSMN7R5-30MLDX 都能够有效满足复杂应用的需求，助力用户实现更高的效能和性能目标。