BSP317PH6327XTSA1 是英飞凌 (Infineon) 公司推出的一款 P 通道绝缘栅场效应管 (MOSFET),隶属于其 SIPMOS® 系列。作为市场上高性能的功率器件之一,该产品集成了多种优良特性,为可广泛应用于各种电子电路中提供了可靠的解决方案。
BSP317PH6327XTSA1 MOSFET 的主要规格如下:
在选择 MOSFET 时,导通电阻 (Rds On) 是一个重要的参数,直接影响电路的功耗和效率。BSP317PH6327XTSA1 在 10V 的栅压下,其最大导通电阻为 4Ω,能够保证在额定电流下的低功耗。此外,该器件在不同栅源电压下的阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 2V,这为其在开关操作中的设计提供了更大的灵活性。
在性能方面,该装置的栅极电荷 (Qg) 最大值为 15.1nC,当栅源电压为 10V 时,说明其具备良好的开关速度和效率。输入电容 (Ciss) 最大值为 262pF,确保在高频应用中也能保持较小的开关损耗。
BSP317PH6327XTSA1 适用于多种应用场合,包括但不限于:
引入 BSP317PH6327XTSA1 MOSFET 不仅使电路设计变得简单,还可以通过降低能耗和提升效率来增强产品的竞争力。该器件的高集成度和更小的封装,为紧凑型设备提供了更好的解决方案。根据市场需求,随着配置日益复杂的电子产品的开发,选用高性能 MOSFET 是电子工程师降低设计难度、提高设计灵活性的明智选择。
BSP317PH6327XTSA1 是一款以高性能、宽温范围和出色的电气特性为特点的 P 通道 MOSFET。无论在电源管理、家电控制、汽车电子还是消费电子领域,该器件均能实现卓越的开关性能。借助其可靠的技术支持和全球化的供应链管理,选择 BSP317PH6327XTSA1 可以让设计者更好地应对挑战,实现创新设计的目标。