型号:

DMP21D2UFA-7B

品牌:DIODES(美台)
封装:X2DFN08063
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
DMP21D2UFA-7B 产品实物图片
DMP21D2UFA-7B 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 360mW 20V 330mA 1个P沟道 X2-DFN0806-3
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0.36
500+
0.328
2500+
0.303
5000+
0.284
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)330mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.6Ω@1.8V,50mA
功率(Pd)360mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)800pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)49pF
反向传输电容(Crss@Vds)5pF
工作温度-55℃~+150℃

DMP21D2UFA-7B 产品概述

一、产品简介

DMP21D2UFA-7B 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,专为低电压和高效率应用而设计。它具有优越的热性能和电流处理能力,适合在广泛的电子设计中使用。这款 FET 具有高导通效率和极优的开关特性,使其在多种电源管理、负载开关以及信号线开关等应用中表现出色。

二、基本参数

  • 电流能力:DMP21D2UFA-7B 的连续漏极电流(Id)为 330mA,适合用于中等电流的应用场景。
  • 漏源电压:此器件的漏源电压(Vdss)最高可达 20V,能够满足大多数低电压电源应用的需求。
  • 导通电阻:在 4.5V 的栅极驱动下,该元件的导通电阻(Rds(on))在 200mA 时最大为 1Ω,确保低功耗和高效率。
  • 栅极电压:该设备的栅极-source电压(Vgs)最大为 ±8V,提供了较大的设计灵活性。
  • 开关特性:输入电容(Ciss)为 49pF,栅极电荷(Qg)在 4.5V 时最大为 0.8nC,表明该 MOSFET 在快速开关操作中表现良好。

三、热特性

DMP21D2UFA-7B 支持最大功率耗散为 360mW,并具有工作温度范围 -55°C 至 150°C,使其能够在恶劣环境条件下稳定工作。这个温度范围使该元件特别适合于汽车电子、工业控制和其他需要高可靠性的应用。

四、封装信息

该 MOSFET 采用表面贴装型封装(X2-DFN0806-3),具有三引脚配置,方便焊接和集成到密集型电路板上。该封装不仅减小了电路板的占用空间,还提高了散热性能,适应现代电子产品对小型化和高密度的要求。

五、应用场景

DMP21D2UFA-7B 被广泛应用于以下领域:

  • 电源管理:在开关电源(SMPS)和电池管理系统中负责高效的开关控制。
  • 负载开关:可用于控制不同负载的启停,例如 LED 驱动、直流电动机控制等。
  • 信号切换:在数据通信线路中可用于实现信号的选择和切换。

六、性能优势

  1. 高效率:低导通电阻和快速开关特性使该 MOSFET 能够在高频及高负载下保持较低的功耗。
  2. 高可靠性:良好的热性能和宽广的工作温度范围使其在恶劣条件下依然可靠。
  3. 小型封装:紧凑的封装设计使其适合于现代小型电子产品,支持高密度布局。

七、总结

DMP21D2UFA-7B 是一款优秀的 P 通道 MOSFET,兼具高效率、可靠性和小型化特性,广泛适用于各类电子电路设计。无论是在电源管理、负载控制还是信号切换等多种应用场景中,它都能提供卓越的性能,成为众多设计工程师信赖的选择。借助其良好的参数特性和稳定的工作性能,DMP21D2UFA-7B 无疑是实现高效率和高可靠性系统设计的重要元件。