型号：
IPP040N08NF2SAKMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TO-220-3
批次：-
包装：管装
重量：-
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 150W；3.8W 80V 22A；115A 1个N沟道 TO-220-3
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
6.55
1000+
6.33
产品参数
属性参数值
制造商Infineon Technologies
系列StrongIRFET™ 2
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)22A（Ta），115A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）3.8V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）3800 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）3.8W（Ta），150W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装PG-TO220-3
封装/外壳TO-220-3
IPP040N08NF2SAKMA1 产品概述
IPP040N08NF2SAKMA1 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）制造的一款高性能N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），属于其 StrongIRFET™ 2 系列。该产品因其卓越的电气特性和可靠性，广泛应用于各种高效能电源管理电路和电机驱动系统中。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）：该MOSFET可承受高达80V的漏源电压，适用于需要高电压的应用场合。
- 电流承载能力：
- 在25°C环境温度下，这款器件的连续漏极电流（Id）为22A，适合普通工作条件。
- 在更优越的冷却条件下（Tc），漏极电流可提升至115A，能够处理极端的电流需求。
- 导通电阻（Rds(on)）：在10V栅极驱动电压下，该MOSFET的最大导通电阻为4毫欧（@ 80A），这是其高效能的关键特性之一，可显著降低导通损耗，提升整体效率。
- 栅极驱动电压：最大Rds(on)所需的驱动电压为6V，最小为10V，这使得该器件能够在不同的电源条件下稳定工作。
可靠性与性能
- 阈值电压（Vgs(th)）：该MOSFET在85µA漏电流情况下，其栅源阈值电压的最大值为3.8V，确保在适当的栅极驱动下可以迅速导通。
- 栅极电荷（Qg）：在10V驱动电压下，栅极电荷为81nC，说明该器件在开关过程中对驱动电路的要求相对较低，能显著提升开关频率和整体系统效率。
- 输入电容（Ciss）：其输入电容在40V下的最大值为3800pF，提供了良好的开关性能，有助于简单化驱动设计。
耐受温度与散热
IPP040N08NF2SAKMA1具备宽广的工作温度范围，从-55°C到175°C（TJ），保证了其在极端环境下的可靠性。同时，其功率耗散能力也相当出色，环境温度下的最大功率耗散为3.8W，而在强制冷却的条件下可达到150W。这些特性使得该MOSFET在高功率应用领域展现了良好的稳定性与安全性。
封装与安装
该MOSFET采用TO-220-3封装，便于通孔安装，适应各种PCB设计。此封装类型不仅维持了稳固的机械结构，同时提升了散热性能，适合高功率输出的应用需求。
应用场景
IPP040N08NF2SAKMA1 MOSFET广泛应用于：
- 高效能电源管理（如开关电源、DC-DC变换器）
- 电动机驱动系统
- 结合高频开关的逆变器设计
- 各类工业控制及自动化系统
总结
IPP040N08NF2SAKMA1作为一款高效且稳定的N通道MOSFET，凭借其超低的导通电阻、高电流承载能力以及宽广的工作温度范围，成为现代电源管理和工业驱动应用中的理想选择。英飞凌的StrongIRFET™ 2系列MOSFET不仅满足了高性能的需求，更在设计和使用上提供了极大的灵活性，能够为设计师提供更多创新与高效的解决方案。