型号:

FMMT493QTA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:2年内
包装:编带
重量:-
其他:
FMMT493QTA 产品实物图片
FMMT493QTA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 500mW 100V 1A NPN TO-236-3
库存数量
库存:
4761
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.755
3000+
0.699
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)100V
功率(Pd)500mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)60@500mA,10V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)600mV@1A,100mA
工作温度-55℃~+150℃

FMMT493QTA 产品概述

一、产品简介

FMMT493QTA 是一款高性能 NPN 晶体管,采用先进的表面贴装工艺设计,封装规格为 SOT-23。该产品由DIODES(美台)制造,具有较低的饱和压降、高电流增益和宽广的工作温度范围,非常适合各种电子应用,包括信号放大、开关电路和高频应用。

二、基本参数

  1. 晶体管类型:NPN
  2. 最大集电极电流(Ic):1A
  3. 集射极击穿电压(Vce(br)):100V
  4. Vce饱和压降:在不同的 Ib、Ic 条件下,最大饱和压降为 600mV @ 100mA 和 1A,表现出优异的开关效率。
  5. 集电极截止电流:最大值为 100nA,确保器件在断态时表现出良好的隔离性能。
  6. DC电流增益(hFE):最小值为 100,在 250mA 和 10V 条件下的增益高效能使其在放大电路中表现极佳。
  7. 功率耗散(最大):500mW,适合高功率密度应用场合。
  8. 工作频率:频率跃迁可达 150MHz,适合高频开关和RF应用。
  9. 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(结温TJ),为任何环境下的广泛应用提供了可靠的保障。
  10. 安装类型:表面贴装型,方便焊接和集成。
  11. 封装类型:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3,设计紧凑,适合高密度电路布局。

三、应用场景

FMMT493QTA 晶体管主要应用于以下几个领域:

  1. 开关电路:由于其良好的开关特性和较高的集电极电流,该晶体管非常适合用于开关电源、继电器驱动等应用。

  2. 信号放大:以其最低 100 的增益,适合用于音频信号放大、视频信号处理等多种微弱信号的放大应用。

  3. RF 及高频应用:其高达 150MHz 的跃迁频率使其适用于一些无线电频率应用及高频开关电路。

  4. 线性应用:可在放大器电路中使用,为精确线性控制提供支持。

四、优越特性

  1. 高集电极电流:与同类器件相比,FMMT493QTA 可以处理更大的电流,最大集电极电流可达 1A,使其在各种需要强负载驱动的应用中更为适用。

  2. 低饱和压降:其饱和状态下的压降仅为 600mV(@ 1A),这意味着在大电流负载下,损失较小,提高了效率。

  3. 高增益特性:优秀的电流增益使其在更小的基极驱动电流下也能实现大的输出,降低了对控制电路的要求。

  4. 广泛的工作温度范围:-55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围使得 FMMT493QTA 适用于需要在恶劣环境下工作的应用。

五、结束语

FMMT493QTA 是一款适应性强、性能优越的 NPN 晶体管。凭借其高集电极电流能力、低饱和压降和高频特性,这款器件可以满足多种电子产品的需求。当需要高效能和可靠性的电子元器件时,FMMT493QTA 不失为一种理想选择。无论是工业、通信还是消费类电子产品,它都提供了出色的解决方案。