型号:

DDTA124TE-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT523
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DDTA124TE-7-F 产品实物图片
DDTA124TE-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-523
库存数量
库存:
2830
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.232
200+
0.149
1500+
0.13
3000+
0.115
产品参数
属性参数值
晶体管类型1个PNP-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@1mA,5V
工作温度-55℃~+150℃

DDTA124TE-7-F 产品概述

产品简介 DDTA124TE-7-F 是一款高性能的PNP型数字晶体管,专为多种电子设计应用而开发。该晶体管采用SOT-523封装,具备卓越的功率处理能力和高频特性,适合于紧凑型空间和高效能电路设计。

基本参数

  1. 类型与偏置:DDTA124TE-7-F属于PNP型晶体管,采用预偏压技术,适合需要快速开关和增强信号处理的应用。

  2. 电流与电压规格

    • 最大集电极电流 (Ic):100mA,适合小功率驱动和低功耗电路。
    • 集射极击穿电压 (Vce):最大50V,保证了较高的耐压能力,使其能够在多种电路中安全运行。
    • 集电极截止电流 (ICBO):最大500nA,表明在不存在基极电流的情况下,漏电流极低,从而提高电路的稳定性和可靠性。
  3. 增益与压降

    • DC电流增益 (hFE)最小值为100(在1mA的Ic和5V的Vce情况下),这意味着晶体管能够提供良好的电流放大能力,适合用于信号放大和开关应用。
    • Vce饱和压降最大值为300mV(在500µA和5mA的Ib情况下),确保在导通时功耗最小化,提升能效。
  4. 频率特性:该晶体管的跃迁频率高达250MHz,表明其具有良好的高频响应能力,适用于RF(射频)应用以及高速数字电路。

  5. 功率处理:最大功率为150mW,使其能够有效承受相对较高的功率水平,适应不同的使用场景。

封装与安装 DDTA124TE-7-F采用SOT-523表面贴装封装,具备小型化、轻量化的特点,适合现代电子设备的设计需求。表面贴装型设计使其易于集成到各种电路板中,便于自动化生产和提升装配效率。

应用领域 DDTA124TE-7-F广泛适用于多种电子应用,包括:

  • 移动设备:由于其小型封装和低功耗特性,非常适合用于手机、平板、可穿戴设备等。
  • 消费电子产品:如电视、音响等,提供稳定的信号放大和开关控制。
  • 计算机外围设备:如打印机、扫描仪和外接硬盘,提升信号传输效率。
  • 工业控制:适合在传感器和执行器之间的信号放大和开关应用。

总结 DDTA124TE-7-F是一款功能全面、性能卓越的数字PNP型晶体管,在多种现代电子设备中提供了稳定的性能与信号完整性。其高增益、低饱和压降以及较高的击穿电压,使其成为多种应用场景中的理想选择。随着电子技术的不断发展,DDTA124TE-7-F将继续满足更高的性能需求,推动电子设备的创新与发展。