BSS138K-13

BSS138K-13 产品概述

BSS138K-13是一款由DIODES公司制造的N通道MOSFET, 其设计和特性使其非常适合各种电子应用，包括开关电源、线性调节器和信号处理。以下是对这款元器件的详细介绍，涵盖其基本参数、性能特点、应用领域及一些常见的注意事项。

基本参数

BSS138K-13的主要电气特性如下：

• FET类型: N通道
• 技术: 金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）
• 漏源电压（Vdss）: 50V，表明该器件能够承受的最大漏极到源极电压。
• 连续漏极电流（Id）: 310mA（在25°C环境温度下），显示其能够在持续工作时承受的最大电流。
• 驱动电压: 最大Rds(on)和最小Rds(on)均为10V，为器件提供良好的导通能力。
• 导通电阻: 在220mA、10V时，最大值为3.5欧姆，这在一定程度上影响着其效率和发热量。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为1.5V（在250µA下），意味着该MOSFET在低电压下即可开启，适合低功耗应用。
• 栅极电荷（Qg）: 最大值为0.95nC（在10V时），这表明其在开关状态的转换速度较快，有助于提高开关频率。
• 输入电容（Ciss）: 在25V时最大值为23.2pF，提供了在处理高频信号时的有效性。
• 屋子功率耗散: 最大值为380mW（在25°C环境温度下），这对设备的散热设计至关重要。
• 工作温度范围: 该器件可在-55°C到150°C的范围内稳定工作，适应严苛的环境应用。
• 封装类型: SOT-23，作为表面贴装型元器件，便于在各种印刷电路板（PCB）上的安装。

性能特点

BSS138K-13凭借其较高的击穿电压、低导通电阻以及优良的开关特性，能够在多种场合下表现出色。具体表现在：

1. 高效能: 由于其较低的Rds(on)，BSS138K-13在大电流时仍然能够保持较低的功耗，提升电路的整体效率。
2. 快速响应: 低栅极电荷的特性提升了开关速度，这使其在高频应用中表现优良。
3. 广泛的工作温度范围: 案例温度适应性强，为设计师提供了更大的灵活性，能够在各种环境条件下使用。

应用领域

BSS138K-13广泛应用于各种电子产品和设备中，包括但不限于：

• 开关电源: 由于其低导通损耗和高效率，适用于电源管理和DC-DC转换电路。
• 信号开关: 可以用于音频信号的切换，图像信号处理等场合。
• 逻辑电平转换: 在不同电压搭配的电路设计中，BSS138K-13可以实现逻辑电平的有效转换。
• 马达驱动电路: 在小型马达驱动电路中也颇为常见。

注意事项

在使用BSS138K-13时，建议注意以下几点：

• 确保Vgs不超过±20V，以避免对器件的损坏。
• 在高功率应用时，确保散热设计良好，避免因超过380mW功耗而导致器件过热。
• 了解栅极电荷Qgs与Qgd在高频开关时的影响，合理设计驱动电路以保证最佳性能。

结论

BSS138K-13是一款功能强大、性能优异的N通道MOSFET，适合多种高效能电路应用。无论是在家庭电器、工业控制还是汽车电子等多个领域，它都能以出色的技术特性支持设计者实现理想的电气性能。