型号：
BSC0902NSATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：TDSON-8
批次：25+
包装：编带
重量：0.141g
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 2.5W；48W 30V 24A；100A 1个N沟道 TDSON-8
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.17
100+
1.74
1250+
1.55
2500+
1.46
5000+
1.39
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)24A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）2.6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）26nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1700pF @ 15V
功率耗散（最大值）2.5W（Ta），48W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-TDSON-8-6
封装/外壳8-PowerTDFN
产品概述：BSC0902NSATMA1
引言 BSC0902NSATMA1是一款高性能N沟道MOSFET（场效应晶体管），由著名的半导体制造商英飞凌（Infineon）研发。它具有出色的电流承载能力和低导通阻抗，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及其他需要高效能电流控制的电子电路中。其卓越的热特性和宽广的工作温度范围使其非常适合严苛的工业与汽车应用。
关键特性
电压与电流规格
- 漏源电压（Vdss）: 该器件设计的最大漏源电压为30V，适合多种中低压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境条件下，器件能够承载高达24A的电流，而在较低温度下（例如，冷却条件Tc）可达到100A的高电流处理能力。这使得它在需要高电流的场合表现优异。
导通电阻
- 在Vgs为10V、Id为30A时，最大导通电阻仅为2.6毫欧，表明该器件能够提供极低的功耗，并高效地进行电能转换，这对于高效电源设计至关重要。
驱动电压
- 该MOSFET的驱动电压在4.5V至10V之间，保证了灵活性，可以兼容多种控制电路。
控制特性
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V（250µA时），这确保了在较低的栅极驱动电压下就可以进行开关操作，降低了控制电路的功耗。
- 栅极电荷（Qg）最大值为26nC（10V）表明其开关速度快，适合于频繁切换的应用场景。
输入电容
- 在Vds为15V时，该MOSFET的输入电容（Ciss）最大值为1700pF，这为高速开关操作提供了良好的条件，同时减小了驱动电路的负担。
热特性
- 最大功率耗散能力为2.5W（在25°C环境）、48W（在Tc条件）确保了该器件在高负载工作条件下依然稳定运行，适合高功率应用。
工作温度范围
- BSC0902NSATMA1可以在-55°C至150°C的温度范围内工作，这使它能够在极端环境下长期操作，满足汽车及工业领域的严苛要求。
封装
- 该器件采用PD-TDSON-8-6封装，具有优秀的散热性能和高度集成的特点，适合表面贴装技术（SMT），易于自动化生产，提升电子产品的可靠性及工作效率。
应用实例 BSC0902NSATMA1可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 助力电机和电池管理系统（BMS）
- 直流到直流（DC-DC）转换器
- 电动工具和家用电器
- 车辆电源管理系统
结论 综上所述，BSC0902NSATMA1作为一款高效能的N沟道MOSFET，以其卓越的电流承载能力、低导通阻抗及宽温度范围等特点，成为各种电子设备和电源管理系统中不可或缺的关键元件。英飞凌凭借在功率半导体领域的深厚技术积累与坚实口碑，使得这一产品具有优良的市场竞争力，为电子工程师在设计高性能及高可靠性应用中提供了重要的解决方案。