型号:

DDTA113ZUA-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT323
批次:22+
包装:编带
重量:1g
其他:
DDTA113ZUA-7-F 产品实物图片
DDTA113ZUA-7-F 一小时发货
描述:其他双极型晶体管(BJT)
库存数量
库存:
2680
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.211
200+
0.137
1500+
0.119
3000+
0.105
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)33@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)3V@20mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)500mV
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@10mA,0.5mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:DDTA113ZUA-7-F

一、产品简介

DDTA113ZUA-7-F 是一款由美台半导体(Diodes Incorporated)出品的高性能PNP型双极性晶体管(BJT),采用SOT-323封装。这款晶体管特别设计用于低功耗电路,广泛应用于小信号放大和开关电路。其结构先进,性能稳定,适合高频及数据处理等环境,可满足各种电子设计中的需求。

二、基本参数

  • 晶体管类型:PNP(预偏压)
  • 集电极电流(Ic - 最大值):100mA
  • 集射极击穿电压(Vce - 最大值):50V
  • 基极电阻(R1):1 kΩ
  • 发射极电阻(R2):10 kΩ
  • 直流电流增益(hFE):在5V和10mA时,最小值为33
  • 饱和压降(Vce(sat) - 最大值):在500µA和10mA下最大值为300mV
  • 集电极截止电流(最大值):500nA
  • 频率特点:跃迁频率为250MHz
  • 功率消耗(Ptot - 最大值):200mW
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳材料:SC-70,SOT-323

三、应用领域

DDTA113ZUA-7-F 的设计理念使其成为多种应用场合的理想选择,主要包括:

  1. 信号放大:由于其优良的增益特性,该晶体管可用于小信号的放大应用,适合于音频和无线电信号处理。
  2. 开关电路:在低功耗开关应用中,DDTA113ZUA-7-F 能够高效地切换电流,实现对信号的精准控制。
  3. 反馈电路:其低的截止电流和良好的增益使得此晶体管在闭环系统中表现出色,适用于多种控制和反馈回路。
  4. 便携式设备:由于其轻便的SOT-323封装以及低功耗特点,DDTA113ZUA-7-F 非常适合于手机、遥控器、玩具和其他便携设备。

四、性能特征

  1. 高频响应:随着电子设备对高频性能的需求日益增加,DDTA113ZUA-7-F 提供高达250MHz的跃迁频率,符合现代高速应用的要求。

  2. 优良的增益特性:该晶体管具备较高的直流电流增益(hFE),使得在小电流信号条件下仍能实现有效放大,适合于各种信号处理电路。

  3. 低功耗:低饱和压降(Vce(sat))和低集电极截止电流,为电路提供了高效能而不增加额外的热负担,适用于电池供电的设备。

  4. 高电压耐受性:最大50V的集射极击穿电压,使其在高电压环境下仍能稳定工作,增加了电路设计的灵活性。

  5. 小型封装:SOT-323封装的设计便于在PCB上进行高密度布局,适合现代电子设备的轻薄化需求。

五、总结

DDTA113ZUA-7-F 是一款可靠的PNP型晶体管,因其良好的频率响应、较高的增益特性及低功耗特征,广泛适用于现代电子产品。无论是在音频放大、开关电路设定,还是在便携式设备中,其均能展现出色的性能表现。选择DDTA113ZUA-7-F,无疑为您的项目带来高效能及设计的灵活性,满足现代电子设备日益增长的技术要求。