型号:

DDA114TU-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT363
批次:2年内
包装:编带
重量:1g
其他:
DDA114TU-7-F 产品实物图片
DDA114TU-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 2个PNP-预偏置 SOT-363
库存数量
库存:
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.215
3000+
0.19
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)160@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1.4V@1mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)3V@10mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@10mA,0.5mA
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

DDA114TU-7-F 产品概述

一、基本介绍

DDA114TU-7-F 是由美台半导体( Diodes Incorporated )生产的一款高性能双极晶体管。该器件采用SOT-363封装,集成了两个PNP型晶体管,适合在各类数字电路应用中的信号处理和开关控制。这款产品以其高集电极电流能力、低饱和压降和出色的频率特性,成为中低功率应用中的理想选择。

二、关键特性

  1. 器件类型: DDA114TU-7-F 是一款双PNP预偏置数字晶体管,具有两个独立的晶体管通道,非常适合用于开关和放大应用。

  2. 电流和电压规范:

    • 最大集电极电流 (Ic) 为100mA,适合中等负载的驱动需求。
    • 集射极击穿最大电压 (Vce) 为50V,确保了设备在高压环境下的稳定性。
  3. 增益特性:

    • 在1mA的基极电流 (Ib) 和5V的集电极电压下,DC电流增益 (hFE) 的最小值为100,这为设计提供了良好的增益裕度,在多种负载条件下均能保持稳定的性能。
  4. 饱和压降:

    • 在100µA和1mA的条件下,饱和压降的最大值为300mV,这使得在开关状态下的功耗降低,有助于提高电路的能效。
  5. 频率响应:

    • 该器件的跃迁频率高达250MHz,便于处理高速信号,适用于需要快速开关或数据传输的应用。
  6. 功率等级:

    • 最大功耗为200mW,适合在小功率环境下运行,提供良好的热性能和散热能力。
  7. 安装与封装:

    • 采用SOT-363封装,具有较小的尺寸与轻便性,适合现代电子设备日益追求的小型化和高密度设计。同时,其表面贴装型设计使得在生产过程中实现高速贴装成为可能,提高了组装效率。

三、应用场景

DDA114TU-7-F广泛应用于以下领域:

  • 信号放大器: 由于其高电流增益,其可作为音频放大器或信号调理电路中的放大器。
  • 开关电路: 可以用于马达控制、电源切换等需要高效开关的场合。
  • 数字电路: 在多种数字逻辑电路中,如输入输出接口或逻辑门电路,DDA114TU-7-F均可提供有效的信号处理能力。
  • 电源管理: 可用于电池管理系统、LED驱动等领域,实现高效的功率转换与管理。
  • 通信设备: 由于其较高的频率性能,适合在无线通信和数据传输设备中使用。

四、总结

DDA114TU-7-F是美台半导体推出的一款功能强大、性能优异的双PNP数字晶体管,凭借其优秀的增益特性、低饱和压降和高频率响应,适用于多种中小功率应用。在现代电子项目中,无论是开关控制、信号放大还是数字逻辑应用,DDA114TU-7-F均能展现出优异的性能和可靠性。随着电子行业的发展,其资源消耗和体积的优化,使得DDA114TU-7-F不仅是一款效能卓越的元器件,更是一款符合现代设计需求的电子产品。