型号:

BC857BLP4-7B

品牌:DIODES(美台)
封装:X1-DFN1006-3
批次:23+
包装:编带
重量:1g
其他:
BC857BLP4-7B 产品实物图片
BC857BLP4-7B 一小时发货
描述:三极管(BJT) 400mW 45V 100mA PNP DFN-3(1x0.6)
库存数量
库存:
9820
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.356
500+
0.237
5000+
0.207
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
功率(Pd)1W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)220@2.0mA,5.0V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)90mV@10mA,0.5mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:BC857BLP4-7B

BC857BLP4-7B是一款高性能的小型表面贴装PNP型晶体管,适用于广泛的电子应用,特别是在低功耗电路设计中。该元器件由DIODES(美台)提供,专为需要高增益和高开关速度的应用而设计,符合现代电子设备对小型化和高效能的需求。

基本参数

BC857BLP4-7B的主要电气参数包括:

  • 工作电流(Ic):最大值为100mA,适合处理中小电流的应用。
  • 集射极击穿电压(Vceo):最大值为45V,能够在不损坏的情况下承受较高的电压,不适合高压应用。
  • 集电极截止电流(ICBO):最大值为15nA,表明该晶体管在关闭状态下的非常低的漏电流,有助于提高电路的整体能效。
  • 饱和压降(Vce(sat)):最大值为650mV在5mA和100mA下,较低的饱和电压意味着该器件取决于设计电流条件下转换损耗低。
  • 直流电流增益(hFE):在2mA和5V条件下,最小值为220,表明该晶体管具有高增益特性,使其适合信号放大和开关应用。
  • 频率响应:该产品具有100MHz的跃迁频率,使其在高速开关应用中表现出色,是雷达、通信和其他高频信号处理设备的理想选择。
  • 功率耗散:最大功率为250mW,能够满足一般电源及信号放大中的功率需求。
  • 工作温度范围:-55°C至150°C,适合恶劣环境下工作的应用。

封装与安装

BC857BLP4-7B采用3-XFDFN封装(DFN-3),其尺寸为1mm x 0.6mm。这种小型封装设计使其非常适合于空间受限的电子设备中。表面贴装型的安装类型简化了PCB焊接工艺,提高了生产效率和信号完整性。

应用领域

BC857BLP4-7B的设计聚焦于多个应用场景,包括但不限于:

  1. 信号放大:由于其高增益特性,BC857适合用于音频和射频信号的放大。
  2. 开关电路:适合用于高速开关电路,可以在电源切换、LED驱动等中高效转换。
  3. 电流源:也可以用于构成电流源电路,提供稳定的输出电流以满足负载需求。
  4. 小型家电/电子产品:因其低功耗特性,广泛应用于便携式电子产品和家用电器。

结论

BC857BLP4-7B是一款功能强大、应用广泛的PNP晶体管,凭借其卓越的电气性能和极小的封装尺寸,成为现代电子产品中不可或缺的组件之一。从基本的开关电路到复杂的信号放大应用,BC857都能够帮助设计师实现高效能、低功耗的电子设计。同时,支持高的工作温度范围和优越的封装形式,使其在环境恶劣的场合下也能稳定工作。因此,无论是在消费电子、通信,还是工业自动化等行业,这款晶体管都展现出其优秀的性能和可靠性。

凭借DIODES品牌的可靠性和广泛的使用口碑,BC857BLP4-7B必定是设计工程师的理想选择,为现代电子产品的高性能和效能提供强有力的支持。