DMN33D8LTQ-7

DMN33D8LTQ-7 产品概述

概述

DMN33D8LTQ-7 是一款由美台（DIODES）公司生产的 N 通道绝缘栅场效应管（MOSFET），采用 SOT-523 封装。该产品具有出色的电气性能和广泛的应用适应性，适合于各种低功率和中功率的电子设备。DMN33D8LTQ-7 主要用于开关电路、信号放大器和电源管理等领域。

关键参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 最大漏源电压 (Vdss): 30V
• 连续漏极电流 (Id): 115mA（25°C 时）
• 驱动电压:
  • 最小导通电压（Rds On）: 2.5V
  • 最大导通电压（Rds On）: 4V
• 导通电阻（最大值）:
  • 5 Ω @ 10mA，4V
• 阈值电压 (Vgs(th)): 不同 Id 时最大值为 1.5V @ 100µA
• 栅极电荷 (Qg):
  • 最大值为 0.55nC @ 10V
• 栅极源电压（Vgs）最大值: ±20V
• 输入电容 (Ciss): 不同 Vds 时最大值为 48pF @ 5V
• 功率耗散（最大值）: 240mW（25°C Ta）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装类型: SOT-523

应用场景

DMN33D8LTQ-7 MOSFET 可广泛应用于以下场景：

1. 开关电源管理: 其较低的导通电阻和适中的功率耗散使其非常适合用于开关型电源（SMPS）中，可有效提高电源转换效率。
2. 信号开关: 在信号处理电路中，DMN33D8LTQ-7 可以作为信号开关，为系统提供快速响应和低导通损耗的优势。
3. 电机控制: 该 MOSFET 可用作电机驱动电路中的开关元件，适合于小型电机控制应用。
4. LED 驱动: 在LED照明设计中，其出色的导通性能有助于提高LED的驱动效率和亮度表现。

技术优势

• 高效率和低损耗: 由于其低导通电阻，DMN33D8LTQ-7 可在较低电压下实现高电流加载，减少功耗，适合在需要高效率的应用场合使用。
• 良好的热性能: 支撑的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合于各种复杂的环境和条件，确保在高温或低温环境下的稳定工作。
• 紧凑的封装: 使用 SOT-523 封装，为设备小型化设计提供了空间优势，适用于移动设备及需要节省空间的应用。
• 优良的抗干扰能力: 较低的输入电容使得其在高频率应用中表现出色，能够有效减少开关噪声，降低干扰。

总结

作为一款高性价比的 N 通道 MOSFET，DMN33D8LTQ-7 在多个电子应用中都表现出了卓越的性能。其结合了良好的热管理特性、低功耗以及广泛的工作电压范围，使其成为现代电子设计中不可或缺的元件。无论是在电源管理、信号开关还是在电机控制等领域，DMN33D8LTQ-7 都能提供优越的解决方案，为用户带来高效可靠的电气性能。