BSR92PH6327XTSA1是一款高性能的P沟道MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管),由知名半导体制造商Infineon(英飞凌)生产。此器件专为高电压应用而设计,具有250V的漏源电压(Vdss)和140mA的连续漏极电流(Id),适用于各种电子设备中高效能的电源管理和开关应用。
BSR92PH6327XTSA1的主要参数包括:
BSR92PH6327XTSA1采用SC-59-3(TO-236-3,SOT-23-3)表面贴装型封装,使其在PCB设计和布局中占用较小空间,符合现代电子设备对小型化和集成度的需求。小型封装不仅节省空间,还能有效降低整体重量,适合便携式设备。
BSR92PH6327XTSA1的多样化特点使其适用于多种应用场景,包括:
BSR92PH6327XTSA1的设计遵循严格的工业标准,确保其在多种设定和极端环境下都能保持出色的性能。MOSFET的工作温度范围从-55°C到150°C,意味着它可以满足恶劣环境条件下的需求,确保设备的长期可靠性。
BSR92PH6327XTSA1是一个性能优越的P沟道MOSFET,凭借其高电压能力、优良的导通特性及广泛的温度适应性,在现代电子设计中展示出其独特的优势和灵活性。无论是在电源管理、信号放大还是驱动控制等应用中,BSR92PH6327XTSA1都能为设计工程师提供可靠而高效的解决方案,是高科技电子产品中的理想选择。