DMN31D5L-13

DMN31D5L-13 产品概述

基本信息 DMN31D5L-13是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为广泛的电子应用设计。其优异的电气性能使其在各种电力管理和开关电路中表现出色。该器件的漏源电压高达30V，并且在25°C时具有最大500mA连通漏极电流能力，适用于低压和中等功率的应用场景。

技术参数

• FET类型: N通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
• 最大漏源电压（Vdss）: 30V
• 最大连续漏极电流（Id）: 500mA @ 25°C
• 导通电阻（最大值）: 1.5Ω @ 10mA，4V条件下
• 驱动电压（最大Rds On、最小Rds On）: 2.5V（最小）至4V（最大），使其与低电压的控制电路兼容
• 阈值电压（Vgs(th)）: 最大1.6V @ 250µA，确保其在低电压条件下也能快速导通
• 栅极电荷（Qg）: 最大1.2nC @ 10V，较低的栅极电荷值有助于提高开关速度
• 栅极源极电压（Vgs）: 最大值为±20V，为器件提供良好的安全裕度
• 输入电容（Ciss）: 最大50pF @ 15V，有助于降低开关损耗
• 功率耗散（最大值）: 350mW @ 25°C，可有效控制器件的发热，延长使用寿命
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C（TJ），适合各种工业环境
• 封装类型: SOT-23（TO-236-3, SC-59），表面贴装型设计便于自动化生产和组合电路使用

应用领域 由于其强大的电气性能和可靠的操作条件，DMN31D5L-13被广泛应用于以下领域：

1. 开关电源: 其高频率性能和低导通电阻使其在开关电源电路中非常有效。
2. 电机驱动: 适合用于小型电机控制中的功率开关。
3. LED驱动: 可用于LED照明系统中，提供稳定的驱动电流。
4. 信号开关: 适合于音频和视频信号的开关应用。
5. 电源管理应用: 可以在便携设备和移动设备中作为电源管理解决方案的一部分。

特点与优势

• 高开关速度: 由于较低的栅极电荷，DMN31D5L-13可以用于高频率应用，确保系统的快速响应。
• 低功耗: 较低的导通电阻和功耗特点有助于提高整体能效，减少发热。
• 高可靠性: 广泛的温度范围及耐压能力使其在苛刻环境下依然能够稳定工作。
• 简易整合: SOT-23封装带来的小型化设计符合现代电路对体积的要求，易于贴装和焊接。

总结 综合来看，DMN31D5L-13是一款极具吸引力的N通道MOSFET，因其出色的电气性能、广泛的应用和优异的可靠性，成为现代电子设备中不可或缺的重要元器件。无论是在消费电子、汽车电子还是工业自动化方面，该器件都展现出其卓越的适应性，是设计工程师和制造商的理想选择。