描述：场效应管(MOSFET) 300mW 50V 200mA 1个N沟道 SOT-23
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.4Ω@10V,0.22A
功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)15pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)8pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
BSS138Q-7-F 产品概述
产品简介
BSS138Q-7-F 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET)，具有优异的电气特性和可靠性。该器件由 DIODES (美台) 公司生产，采用 SOT-23 封装，适用于广泛的电子应用，如开关电源、负载驱动、信号开关和电源管理电路。其工作温度范围宽广，适合在恶劣环境中使用。
主要参数
FET 类型: N 通道
- 该器件采用 N 通道 MOSFET 技术，提供出色的电导能力，以及低导通电阻和优秀的电流承载能力。
漏源电压 (Vdss): 50V
- BSS138Q-7-F 能够承受最大漏源电压为 50V，适合用于高电压的应用场景。
电流 - 连续漏极 (Id): 200mA (在 25°C 时)
- 器件在25°C条件下，连续漏极电流可达200mA，满足大多数低功耗应用需求。
导通电阻 (Rds(on)): 最大 3.5Ω @ 220mA，10V
- 低导通电阻意味着该 FET 在工作时会产生更少的热量和功率损耗，提高整体系统效率。
门源电压 (Vgs): 最大 ±20V
- 器件的栅源电压容许范围达到 ±20V，给予设计人员更大的灵活性。
输入电容 (Ciss): 最大 50pF @ 10V
- 该参数确保在高频应用中，器件具有快速的开关速度，从而提高整体系统性能。
功率耗散: 最大 300mW (在 25°C)
- 适合用于中等功率的驱动应用，确保设备的长期稳定性。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- 宽广的工作温度范围使 BSS138Q-7-F 适用于极端环境中的应用。
封装类型: SOT-23
- 该器件采用表面贴装形式封装(SOT-23)，可实现紧凑的PCB设计，大幅度节省空间。
应用领域
BSS138Q-7-F 适用于多种电子设计和应用，包括但不限于：
- 开关电源: 用作高效开关电路的主要元件，提高电源效率。
- 信号开关: 由于其低导通电阻，适合用于迅速切换信号路径。
- 负载驱动: 在电机驱动和执行器应用中，BSS138Q-7-F 可用作负载开关，提供可靠的电流支持。
- 电源管理: 在电源管理系统中，它能够控制电源输出，有效优化系统电能使用。
总结
BSS138Q-7-F 是一款极具性价比的 N 通道 MOSFET，适合广泛的电子应用，特别是在空间受限、功率要求适中的场合。其优越的性能参数使其成为设计师进行高效能、高可靠性电路设计的首选。凭借其广泛的工作温度范围和稳定的电气特性，BSS138Q-7-F 在极端环境和长时间持续运行的应用中展现出卓越的适应能力，是现代电子设计中不可或缺的重要元件。