SIRA14BDP-T1-GE3

SIRA14BDP-T1-GE3 产品概述

1. 基本介绍

SIRA14BDP-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）公司生产的高性能 N 通道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装。这款 MOSFET 以其卓越的电气性能和良好的热管理能力，广泛应用于各种电子电路设计中，尤其适用于需要高功率、大电流和高效率的场合。

2. 主要特性

• 漏源电压 (Vdss): SIRA14BDP-T1-GE3 的最大漏源电压为 30V，这使得它能够在中低压应用中发挥作用，比如 DC-DC 转换器、电动机驱动器等。
• 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下，该器件的连续漏极电流为 21A，而在更高的环境温度（Tc）下，其最大电流可达到 64A，适应了多种高电流需求场景。
• 导通电阻 (Rds(on)): 该 MOSFET 在 10V 驱动电压下的最大导通电阻仅为 5.38 毫欧，意味着在导通状态下的损耗极低，从而提高了电路的整体效率。
• 阈值电压 (Vgs(th)): 不同 Id 时的阈值电压最大值为 2.2V，这为 MOSFET 的驱动提供了良好的灵活性，确保它在低电平驱动下也能够可靠工作。
• 栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动下，栅极电荷最大值为 22nC，说明该器件具有较低的开关损耗，有利于高频应用场景。

3. 电气特性

• 功率耗散: SIRA14BDP-T1-GE3 的最大功率耗散能力为 3.7W（在环境温度 Ta 下）和 36W（在更高的结温 Tc 下）。这样的特性使得该 MOSFET 能够在高功率应用中保持良好的热管理表现。
• 输入电容 (Ciss): 在 15V 时输入电容最大值为 917pF，这一特性使得 MOSFET 在高频操作时能够快速响应，有效降低开关延迟。

4. 工作环境

这款 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，提供了极佳的环境适应性，特别适合于航空航天、汽车及工业设备等要求高温耐受力的应用。这种广泛的工作温度范围保证了该器件在恶劣条件下的可靠性和稳定性。

5. 封装与安装

SIRA14BDP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装，这种表面贴装型封装不仅有助于节省电路板空间，还有助于优化热管理。PowerPAK® SO-8 封装能够提高功率密度，特别适合于现代高性能电子设备。

6. 应用领域

SIRA14BDP-T1-GE3 的设计适用于多种现代电子产品和系统，包括但不限于：

• DC-DC 转换器
• 电动机控制器
• 开关电源
• 电池管理系统
• 其他需要高功率、高效率的替代方案

7. 结论

综上所述，SIRA14BDP-T1-GE3 是一款性能优越、适应性广泛的 N 通道 MOSFET，尤其适合于高频、高功率的应用场合。其高电流处理能力、低导通电阻、良好的热管理能力以及宽广的工作温度范围使其成为设计工程师在选择电子元器件时的重要考虑对象。无论是在消费电子、工业自动化还是在高级应用领域，SIRA14BDP-T1-GE3 都能提供令人信赖的选择。