STP10N95K5 产品概述
概述
STP10N95K5是一款来自意法半导体（STMicroelectronics）的高性能N沟道MOSFET，具有950V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），这使得它在高压应用中极具竞争力。该器件采用TO-220封装，旨在为各种工业和消费类电子产品提供高效的电能管理和转换解决方案。
关键特性
高电压耐受性: STP10N95K5具有950V的高漏源电压，这对于需要处理高电压的应用（如电源转换器、工业电机驱动、照明设备等）至关重要。
连续漏极电流: 在Tc=25°C的条件下，STP10N95K5能够提供高达8A的连续漏极电流，展示了其良好的散热性能及适应性。同时最大功率耗散为130W，可支持多种工作条件的设备。
低导通电阻: 在不同电流Id和栅极电压Vgs条件下，该器件的最大导通电阻（Rds On）为800毫欧（@ 4A，10V），有效降低了开关损耗和热量产生，提高了整体能效。
阈值电压特性: STP10N95K5的Vgs(th)值最大为5V（@ 100µA），适合于5V逻辑电平的驱动电路，确保能够与各种控制电路兼容。
快速开关特性: 该MOSFET的总栅极电荷Qg最大值为22nC（@ 10V），这意味着在开关过程中能够实现较快速的开关状态切换，从而提升电路的工作频率和效率。
宽广的工作温度范围: STP10N95K5在-55°C到150°C的广泛工作温度范围内能够稳定运行，使其适合在严苛环境下的应用。
应用场景
由于其优异的电气特性和结构设计，STP10N95K5适合于广泛的应用场景：
- 电源转换器: 适合于高效率的AC-DC和DC-DC转换器中，提供更高的效率和更低的热损耗。
- 电机驱动: 在工业电机驱动中，STP10N95K5可有效地控制电机的启停和调速，确保平稳的性能表现。
- 照明设备: 在LED驱动电源中，它可以优化照明效果，提升能量利用效率。
- 数据中心与电力设备: 由于其高耐压、高效率，适用于电源供应和能量管理系统。
封装和安装
STP10N95K5采用TO-220-3封装，具备良好的散热性能，能够有效应对高功率应用中的散热问题。该封装形式也便于通过通孔安装到各种电路板上，方便工程师快速布局和优化电路设计。
结论
STP10N95K5是一个兼具高电压、高电流和低导通电阻特性的N沟道MOSFET，为多种高效能电子设备提供了可靠性和灵活性。意法半导体凭借其领先的半导体技术，确保了STP10N95K5在高压应用中的稳定表现和高效能转换，是电子设计工程师值得信赖的选择。无论是在电源管理、工控设备还是智能照明领域，STP10N95K5都能提供出色的性能表现，是理想的功能性元器件。