TK8A65D(STA4,Q,M)

TK8A65D(STA4,Q,M) 产品概述

概述

TK8A65D(STA4,Q,M) 是一款高性能 N 通道 MOSFET，专为需要高电压和高电流的应用场景而设计，具有650V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id）。其最大功率耗散为45W，并允许在高达150°C的工作温度下运行，使其非常适合于要求高热稳定性和可靠性的功率转换和控制应用。

主要特性

• 电气特性：

  • 漏源电压 (Vdss)：650V，适合高电压的应用。
  • 连续漏极电流 (Id)：8A，适合较大功率负载。
  • 最大导通电阻 (Rds On)：840毫欧（@ 4A, 10V），在较低的导通电压下提供优异的导通性能。
  • 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大值4V（@ 1mA），提供稳定的开关性能。

• 电容性特性：

  • 输入电容 (Ciss)：在25V下最大值为1350pF，能够提供良好的开关速度，降低开关损耗。

• 栅极电荷 (Qg)：最大值为25nC（@ 10V），在转换过程中可以提供快速且高效的驱动。

• 封装技术：采用 TO-220-3 封装，便于散热和安装，适合通孔安装，确保在高功率条件下安全稳定地运行。

应用领域

TK8A65D 特别适用于以下应用：

• 开关电源：可以用于电源转化和路径控制，提供高效且稳定的电压和电流管理。
• 电机驱动：在电动车及工业电机驱动系统中，作为功率开关，有助于提高系统效率。
• 逆变器及变频器：在可再生能源领域，如太阳能逆变器中，能够有效管理电流和电压变化，确保输出的稳定性。
• 照明控制：在智能照明和LED驱动中，能够实现优异的功率转换和控制效果。

优势

• 高温性能：这款 FET 的工作温度范围可达150°C，使其在严酷的环境条件下仍然能够可靠工作。
• 高效能：优秀的导通电阻和栅极电荷特性确保了其在频繁开关状态下保持低热量和高效率。
• 灵活性强：可广泛应用于各种商业和工业领域，可以满足不同电流和电压的需求。

结论

TK8A65D(STA4,Q,M) 是一款极具竞争力的 N 通道 MOSFET，采用先进的技术设计，既可支持高电流和高电压应用，又能在高温环境中稳定运行。其优越的电气特性和可靠性使其广泛适用于现代电子设备和系统，是设计工程师在电源管理和功率转换应用领域的理想选择。选择 TK8A65D，您将获得出色的性能表现和设计灵活性，应对未来更多的应用挑战。