型号:

T2035H-6I

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220AB-3
批次:5年内
包装:管装
重量:-
其他:
T2035H-6I 产品实物图片
T2035H-6I 一小时发货
描述:晶闸管(可控硅)/模块 35mA 600V 1个双向可控硅 1V TO-220AB
库存数量
库存:
27
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.23
1000+
3.1
产品参数
属性参数值
可控硅类型1个双向可控硅
门极触发电压(Vgt)1V
保持电流(Ih)35mA
断态峰值电压(Vdrm)600V
门极触发电流(Igt)35mA
通态RMS电流(It(rms))20A
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

T2035H-6I 产品概述

一、产品简介

T2035H-6I 是由意法半导体(STMicroelectronics)制造的一款高性能双向可控硅(SCR),特别设计用于各种电力控制和电力转换应用。这款可控硅采用 TO-220AB-3 封装,具有良好的散热性能,非常适合中高功率负载的控制。T2035H-6I 的主要参数包括可承受的最大截止电压为 600V,最大 RMS 电流为 20A,适用于高达 150°C 的工作环境,展现出卓越的温度稳定性和可靠性。

二、主要规格参数

  1. 电气特性

    • 类型:双向可控硅,专为无缓冲应用设计,确保在绝大多数情况下稳定可靠。
    • 断态电压(VDRM):最大可承受 600V 的断态电压,使其适合高电压应用。
    • 通态电流(It (RMS)):最大承载电流为 20A,适用于多种家电与工业设备。
    • 非重复浪涌电流(Itsm):能够承受高达 200A(50Hz)和 210A(60Hz)的短时浪涌电流,确保在瞬态情况下也能正常运行。
    • 栅极触发电压(Vgt):最高为 1V,确保触发所需的控制电压较低,提高了电路的兼容性。
    • 栅极触发电流(Igt):最大触发电流为 35mA,衡量设备的控制灵敏度。
  2. 温度特性

    • 工作温度范围:该元器件可以在 -40°C 至 150°C 的环境中稳定工作,具备优越的温度适应性,适合苛刻的环境应用。
  3. 封装和安装

    • 封装类型:TO-220AB-3,符合行业标准的通孔安装设计,便于在PCB上布置,带来良好的电气连接和热管理性能。TO-220的设计使得其散热性能优越,适合高功率应用。
    • 配置:单路可控硅,简化了电路设计,适合许多常见的控制应用。

三、应用场合

T2035H-6I 适用于广泛的应用领域,包括但不限于:

  • 家用电器:如电饭煲、电热水器等,这些设备需要精确的温度控制与稳压电源的切换。
  • 工业控制:在工业环境中,从电机调速设备到加热器调控,T2035H-6I 都能提供可靠的功率调控。
  • 充电器及适配器:为电池和其他可充电设备提供稳定输出,确保安全可靠的充电过程。
  • 各种电源管理系统:包括民用和工业领域的电源监控与调节,确保设备在高负载情况下的工作效率与安全性。

四、总结

T2035H-6I 双向可控硅凭借其卓越的电气特性、广泛的应用适应性和稳健的制造品质,在现代电力控制系统中扮演了重要角色。无论是高静态电压下的操作,还是承受瞬态浪涌电流的需求,该产品都展现出优于同类产品的竞争优势。作为意法半导体的明星产品之一,T2035H-6I 必将为电子设计工程师在高性能电源应用中提供可靠的解决方案。