BSC014N06NSATMA1

产品概述：BSC014N06NSATMA1

概述

BSC014N06NSATMA1 是一款由英飞凌（Infineon）生产的高性能 N 通道 MOSFET。它具备优异的电气和热性能，适用于多种应用场景，包括电源管理、开关电源、高效能电动机驱动等。其漏源电压能力高达 60V，连续漏极电流可分别达到 30A（在常温下）和 100A（在工作环境温度较低的情况下），使其在高电流负载条件下工作非常可靠。

关键参数

• FET 类型: N 通道 MOSFET
• 漏源电压 (Vdss): 60V
• 连续漏极电流 (Id): 30A @ 25°C，100A @ Tc
• 驱动电压: 6V（最小），10V（最大 Rds On）
• 导通电阻 (Rds,on): 最大 1.45 毫欧 @ 50A，10V 驱动电压
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大 2.8V @ 120µA
• 栅极电荷 (Qg): 最大 89nC @ 10V
• 栅源间电压 (Vgs): ±20V
• 输入电容 (Ciss): 最大 6500pF @ 30V
• 功率耗散: 最大 2.5W (Ta)，156W (Tc)
• 工作温度范围: -55°C 到 150°C
• 封装类型: 表面贴装，PG-TDSON-8-17
• 尺寸: 8-PowerTDFN

应用领域

BSC014N06NSATMA1 适用于多种应用场景，其中包括：

1. 开关电源: 其低导通电阻和高电流能力使其非常适合在开关电源电路中使用。
2. 电动机驱动: 其高电流能力可以驱动高功率电动机，尤其是在大电流和高频率的应用中表现优良。
3. DC-DC 转换器: 该 MOSFET 拥有较低的导通电阻和高效的功率转换性能，使其非常适合在 DC-DC 转换器中使用。
4. 电池管理系统: 能够可靠地处理高电流，适用于电池充电与保护电路。

性能特点

BSC014N06NSATMA1 的设计考虑了电气和热性能的优化，使其在高功率应用中表现稳定。它在比较宽的工作温度范围内具有优越的性能，包括：

• 高效能: 低导通电阻和较低的输入电容有助于在高频情况下降低开关损耗。
• 优异的热管理: 优化的封装设计提供良好的热性能，允许在高负载情况下的安全工作。
• 耐久性: 广泛的工作温度范围使其适应各种环境条件，确保产品的长期可靠性。

封装与安装

该 MOSFET 采用 PG-TDSON-8-17 封装，设计为表面贴装型，便于在多种板级布局中使用。小型化的封装不仅节省了电路板空间，同时也提高了散热效率。同时，这种封装形式兼容现有的自动贴片生产工艺，能够降低生产成本及提升生产效率。

结论

综上所述，BSC014N06NSATMA1 是一款高性能、可靠的 N 通道 MOSFET，广泛适用于电源管理、开关电源和电动机驱动等多个领域。其优秀的电气特性、良好的热管理及广泛的应用适应性，使其成为现代工程师在高性能电路设计中的优选组件。