型号:

IRFU9024NPBF

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TO-251AA(IPAK)
批次:24+
包装:编带
重量:0.6g
其他:
IRFU9024NPBF 产品实物图片
IRFU9024NPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 38W 55V 11A 1个P沟道 TO-251(IPAK)
库存数量
库存:
120
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.2
3000+
1.13
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)175mΩ@10V,6.6A
功率(Pd)38W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)350pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

IRFU9024NPBF 产品概述

产品介绍

IRFU9024NPBF 是英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能的 P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。凭借其优异的电气特性和广泛的工作温度范围,该器件广泛应用于各种开关和线性应用,能够满足现代电子设备对高效率和高可靠性的需求。

关键参数

  1. FET 类型:P 通道 MOSFET
  2. 漏源电压(Vdss):55V,允许在高压系统中稳定工作。
  3. 连续漏极电流(Id):11A(在 25°C 时测得),支持高功率负载。
  4. Rds On:在 10V 驱动电压下,6.6A 时最大导通电阻为 175 毫欧,确保在负载条件下最低能量损耗。
  5. 栅源阈值电压(Vgs(th)):最大值为 4V(在 250µA 时测得),有利于用户在选择合适的驱动电压时提供灵活性。
  6. 栅极电荷(Qg):最大为 19nC(在 10V 时测得),在开关频率较高的应用中表现出色。
  7. 最大 Vgs:±20V,增强了器件的适用性,提高了系统的设计灵活性。
  8. 输入电容(Ciss):在 25V 时,最大输入电容为 350pF,降低了开关损耗,提高了开关效率。
  9. 功率耗散(Pd):能够承受最大 38W 的功率损耗,适合高功率应用场景。
  10. 工作温度范围:-55°C 至 150°C,适应极端环境条件,确保其在高温和低温下均能稳定工作。

封装与应用

IRFU9024NPBF 采用 TO-251 类型的 IPAK 封装,这种封装设计使其具有良好的散热性能,有利于提升器件的整体可靠性和效率。短引线结构优化了电气性能,适合于高密度布板设计。

该 MOSFET 适合用于多个电源管理和开关能力要求较高的应用,如:

  • DC-DC 转换器
  • 直流电机控制
  • 电源开关
  • 负载开关
  • 高频开关电源

性能优势

IRFU9024NPBF 的设计不仅关注于电气性能,其构造也考虑到了热管理,确保在高电流和高功率应用下,器件能够保持较低的工作温度,延长使用寿命。此外,低导通电阻和快速开关特性使其能够在高效能电源和电机驱动应用中脱颖而出,从而在高频开关环境中保持较低的能量损耗。

总结

综上所述,IRFU9024NPBF 是一款可靠、效率高且应用广泛的 P 通道 MOSFET,具有众多优异的电气特性和适应性。无论是在工业控制、汽车电子还是消费电子产品中,该器件都能够提供出色的性能表现,是设计工程师在选择场效应管时的理想选择。无论面对怎样复杂的电流和温度环境,IRFU9024NPBF 都能确保系统的稳定性和高效性。