型号：
IPN60R360PFD7SATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：SOT-223
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 7W 600V 10A 1个N沟道 SOT-223-3
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
3.88
3000+
3.73
产品参数
属性参数值
制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™PFD7
包装卷带（TR）
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）360 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.5V @ 140µA
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）7W（Tc）
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-SOT223
封装/外壳TO-261-3
漏源电压（Vdss）650V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）12.7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）534pF @ 400V
产品概述：IPN60R360PFD7SATMA1
一、基本信息
IPN60R360PFD7SATMA1 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）制造的一款高性能 N 通道 MOSFET，属于其 CoolMOS™ PFD7 系列。该产品以其卓越的功率特性和高效率表现，广泛应用于需要高效电源管理和转换的电子设备中。其核心设计旨在满足严格的电源需求，尤其是在工业和消费类电子领域。
二、关键参数
电气特性：
- 漏源电压（Vdss）：额定650V，使得该MOSFET能够承受高电压应用，适用于高压电源电路。
- 连续漏极电流（Id）：10A（在Tc=25°C时），在较高的负载条件下保持可持续运行。
- 导通电阻（Rds(on)）：最大值为360毫欧，确保在通电时具有较低的功率损耗和热量生成，尤其是在2.9A和10V条件下的表现。
门源极电压（Vgs）：
- 支持的最大门源极电压为±20V，允许广泛的驱动设计。
- Vgs(th)（门阈电压）最大值为4.5V，在140µA的电流条件下，确保MOSFET在低电压下即可实现有效开启。
功率耗散：
- 最大功率耗散为7W（Tc），能够支持高功率应用并在相应环境下有效管理热量。
温度范围：
- 工作温度范围在-40°C至150°C（TJ），使得该器件在极端环境条件下均能保持优异的性能。
封装与安装：
- 采用TO-261-3（SOT-223）封装形式，适合表面贴装，便于与其他电子元件集成，优化电路布局。
其他特性：
- 内部栅极电荷（Qg）最大值为12.7nC，输入电容（Ciss）在400V时最大为534pF，确保快速开关响应的同时降低开关损失。
三、应用场景
由于其高耐压和低导通电阻特性，IPN60R360PFD7SATMA1广泛应用于：
- DC-DC转换器
- 开关电源（SMPS）
- 高频逆变器
- 电机驱动器
- 充电器和电池管理系统
四、竞争优势
IPN60R360PFD7SATMA1凭借其CoolMOS™技术，相较传统MOSFET产品在效率和热性能上具有显著优势。CoolMOS™ PFD7 产品提供低开关损耗和优异的热特性，确保在高频应用中能够以更高的效率工作，完美适用于当前市场上对能源效率要求越来越高的趋势。
五、总结
作为市场上领先的高压N通道MOSFET，IPN60R360PFD7SATMA1代表了英飞凌在高性能电源技术领域的最新成果。无论是在高效能电源转换、紧凑型设计还是在高温环境下的可靠性方面，均展示了其卓越的性能和价值。对于设计工程师而言，其兼容性强、应用广泛及技术先进的特性，提供了无与伦比的设计灵活性与可靠的性能保障，成为现代电源设计中不可或缺的关键元件。