型号:

STGF3NC120HD

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220FP
批次:-
包装:管装
重量:2.6g
其他:
STGF3NC120HD 产品实物图片
STGF3NC120HD 一小时发货
描述:IGBT管/模块 1.2kV 25W 6A 0.236mJ TO-220F-3
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最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
6.43
2000+
6.22
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)6A
功率(Pd)25W
导通损耗(Eon)0.236mJ
关断损耗(Eoff)0.29mJ
反向恢复时间(Trr)51ns
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

产品概述:STGF3NC120HD IGBT

概述

STGF3NC120HD是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能IGBT(绝缘栅双极型晶体管),整体设计旨在满足高压电力电子应用的需求。其结构基于TO-220封装,具有通孔安装类型,广泛用于电机驱动、电源转换和辅助电气设备等领域。此器件具备较高的电压和电流承载能力,适合于工业和消费类应用的各种需求。

关键参数

  • 电流承载能力:STGF3NC120HD的集电极电流(Ic)最大值为6A,而在瞬态脉冲情况下(Icm),其所能承受的电流可达到20A,显示出其应对高负载的能力。
  • 电压承受能力:该产品的集射极击穿电压(Vces)最大值为1200V,为高压应用提供了出色的电压耐受能力,使其能够安全可靠地运行于严苛的环境中。
  • 开关特性:其开关能量分别为236µJ(开)和290µJ(关),并显示出15ns的开关延迟时间(Td(on))和118ns的关断延迟时间(Td(off)),这使得器件在快速切换应用场景中表现良好。

输入参数

  • 栅极电荷:该产品在驱动电路中的栅极电荷为24nC,表示在驱动IGBT时所需的电荷量。这一特性对于确保快速响应和高效操作至关重要,降低了驱动电路的功耗。
  • Vce(on)特性:在15V栅极电压下,该器件的Vce(on)值最大为2.8V(Ic=3A),这表明在开通状态下功率损耗较低,有助于提高整体电路的效率。

热特性

STGF3NC120HD的工作温度范围从-55°C到150°C(TJ),表明其具备极好的热稳定性,使其能够在高温和低温的极端环境中稳定运行。此外,该器件的最大功率损耗为25W,这为设计师提供了足够的灵活性,以确保其在不同的应用场合下是可靠的解决方案。

反向恢复特性

  • 反向恢复时间:此产品具有51ns的反向恢复时间(trr),这一特性非常重要,尤其是在开关电源和变频器的设计中,它可以有效降低开关损耗,提高系统效率。

应用场景

凭借其高电流和电压能力,以及良好的开关特性,STGF3NC120HD适用范围广泛,包括但不限于:

  • 电机驱动:通过对DC和AC电机的高效控制,实现对工业生产线和家电等设备的高效驱动。
  • 电源转换:用于UPS(不间断电源)系统、变频器和电源模块,确保能量转换的高效性与可靠性。
  • 智能电网:在可再生能源与分布式发电系统中的高效开关和控制。

结论

STGF3NC120HD是一款高可靠性和高性能的IGBT器件,其卓越的电气特性与广泛的应用适用性使其成为现代电力电子设计中的理想选择。无论是在工业、消费电子还是在可再生能源领域,该器件均可通过优化设计实现高效和可持续的电力管理。