型号:

DTC043EUBTL

品牌:ROHM(罗姆)
封装:UMT3F
批次:2年内
包装:编带
重量:0.021g
其他:
DTC043EUBTL 产品实物图片
DTC043EUBTL 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-323-3
库存数量
库存:
6000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.424
200+
0.141
1500+
0.0883
3000+
0.0699
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)20@5mA,10V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)2.2V@5mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)150mV@5mA,0.5mA
输入电阻4.7kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

DTC043EUBTL 产品概述

概述

DTC043EUBTL是一款高性能的数字化NPN预偏压晶体管,由知名半导体制造商ROHM(罗姆)提供。这款晶体管适用于各种电子应用,如开关电路、放大器以及数字信号处理等,以其较高的电流增益、宽频率响应和优良的功率特性,在现代电子电路设计中广受欢迎。

关键技术参数

  1. 晶体管类型: NPN - 预偏压
    DTC043EUBTL采用NPN结构设计,具备预偏压功能,使其能够在低电压和低电流下稳定工作,适合于数字和模拟电路的驱动。

  2. 电流性能:

    • 集电极电流(Ic): 最大可承受 100mA 的电流,适合中等功率应用。
    • 集射极击穿电压(Vce): 峰值工作电压可达 50V,适合于高电压环境。
  3. 电阻器配置:

    • 基极电阻(R1): 4.7 kΩ,提供适当的基极电流,增强开关特性。
    • 发射极电阻(R2): 4.7 kΩ,确保稳定的偏置条件,有助于提高工作稳定性。
  4. 电流增益(hFE):

    • 在5mA和10V条件下,最小直流电流增益为20,意味着在相对较小的基极电流下即可获得较高的集电极电流。
  5. 饱和压降:

    • 在500µA和5mA的应用场景下,最大饱和压降为150mV,表明其在开关状态下的高效性,减少了能量损耗。
  6. 频率响应:

    • 跃迁频率达到250MHz,适合高频信号处理,能够满足当今电子产品对高速度和高效率的要求。
  7. 功率性能:

    • 最大功率承载能力为200mW,确保其在多种电路条件下的可靠性和安全性。
  8. 封装与尺寸:

    • DTC043EUBTL采用表面贴装型(SMD)封装UMT3F,标准化的SOT-323-3外形设计,易于在现代电路板上布置,且有效节省空间。

应用场景

DTC043EUBTL广泛应用于各种电子设备的设计中,其优良的特性使其成为以下场景的理想选择:

  • 开关电源: 作为开关器件可以有效控制电源管理,提高能效。
  • 音频放大器: 由于其高频特性和低失真,在音频设备中可用于音频信号的放大。
  • 逻辑电路: 适用于逻辑门和触发器的实现,适合数字电路设计。
  • 传感器信号调理: 可以接收来自传感器的微弱信号,并进行适当放大。

设计注意事项

在设计使用DTC043EUBTL的电路时,需注意以下几点:

  • 热管理: 虽然其承载功率为200mW,但在高负载下必须考虑散热,以避免过热损坏。
  • 偏置配置: 采用恰当的基极和发射极电阻配置,以确保晶体管的稳定工作。
  • 频率匹配: 在高频应用中,确保其他电路元件的频率特性与晶体管的特性匹配,避免失真。

结论

DTC043EUBTL是一款性能卓越的NPN预偏压晶体管,凭借其优良的电气特性和紧凑的封装设计,成为多种电子应用中的可靠选择。在日益复杂的电子产品设计中,这款晶体管为工程师提供了更大的灵活性和设计自由度。无论是在消费电子、工业控制还是通信设备中,DTC043EUBTL都能为电路设计提供优质的解决方案。