型号:

EMD12T2R

品牌:ROHM(罗姆)
封装:EMT6
批次:2年内
包装:编带
重量:0.012g
其他:
EMD12T2R 产品实物图片
EMD12T2R 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-563(SOT-666)
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:8000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.284
8000+
0.26
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)68@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)3V@2mA,0.3V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)300mV@2mA,0.5mA
输入电阻47kΩ
电阻比率1
工作温度-55℃~+150℃

EMD12T2R 产品概述

1. 产品简介

EMD12T2R是一款由ROHM(罗姆)公司推出的高性能数字晶体管。这款产品的设计主要针对低功耗、紧凑空间的应用,凭借其小型化的表面贴装封装(SOT-563/SOT-666),适合用于各种现代电子设备。EMD12T2R结合了1个NPN和1个PNP的结构,能够实现高效的电流放大和开关功能,广泛应用于数字电路、模拟信号处理和其他要求较高的电气项目中。

2. 主要特点

  • 双管结构:集成1个NPN和1个PNP晶体管,简化了电路设计并减少了外部元器件的数量。
  • 优良的电流特性:IC(集电极电流)最大值为100mA,而集电极截止电流(Ic(max))为500nA,确保其在低功耗工作情况下能够稳定运行。
  • 宽广的电压范围:电压-集射极击穿(Vce)最大值为50V,适合多种电源电压环境,提高了电路的适应性。
  • 低饱和压降:在不同Ib和Ic条件下,Vce饱和压降最大值为300mV(在500µA和10mA条件下),为应用提供有效的功率效率。
  • 高频特性:具有250MHz的跃迁频率,适合高频开关和快速信号处理的应用场合。

3. 电气参数

  • 功率处理能力:该器件具有150mW的最大功耗,能够满足在各种负载条件下的工作需求。
  • DC电流增益(hFE):在5mA和5V的条件下,hFE的最低值为68,确保器件能够在典型应用中提供适当的增益,增强电路的输出能力。

4. 应用领域

EMD12T2R具有广泛的应用前景,主要包括但不限于:

  • 消费电子:如手机、平板电脑、数字相机等设备的电源管理和信号切换。
  • 工业设备:用于自动化设备中的信号放大和控制。
  • 通信设备:在各种无线和有线通信设备中,作为信号的开关和放大器。
  • 家电产品:适用于智能家居设备以及现代家电的控制电路中。

5. 安装与使用

EMD12T2R采用表面贴装型(SMT),方便快速地集成到自动化生产的电路板中。其小型封装设计确保在空间受限的应用中也能轻松安装。此外,了解其支持的电源电压和负载特性非常重要,以保证在实际应用中的稳定性与可靠性。

6. 结论

EMD12T2R数字晶体管是一款卓越的元器件,兼具高效性与可靠性。凭借其强大的电流处理能力、低功耗特性及高频性能,适合用于广泛的电子产品和应用中。ROHM(罗姆)品牌的技术支持和产品质量,进一步增强了这一产品在市场中的竞争力。对于研发人员及工程师而言,EMD12T2R为设计高效能信号处理和电源管理系统提供了一个理想的解决方案。