STL13N60M2

STL13N60M2 产品概述

产品介绍

STL13N60M2是一款高性能的N通道MOSFET，专为高电压和高频率应用设计。其最大漏源电压（V_DSS）可达600V，适合用于要求高功率和高电压稳压的各种电子电路。通过利用先进的金属氧化物半导体技术（MOSFET），STL13N60M2展现了优秀的导通特性和出色的热性能，使其成为电源管理、逆变器、开关电源及电机驱动应用的理想选择。

基本参数

1. 漏源电压（V_DSS）: 600V

   • 它可以承受的最大漏源电压，使得该器件可广泛应用于高压电源电路设计。

2. 连续漏极电流（I_D）: 7A（在Tc=25°C时）

   • 该MOSFET在25°C的情况可持续处理7A的电流，适合动态负载条件下的应用。

3. 导通电阻（R_ds(on)）: 最大420毫欧

   • 在10V的栅极驱动电压下，该MOSFET在4.5A电流下仍保持较低的导通电阻，这样的特性可显著提高电源转换效率。

4. 输入电压阈值（V_gs(th)）: 最大4V @ 250µA

   • 低阈值电压确保MOSFET能够在较低的栅电压下迅速导通，降低了开启延迟。

5. 栅极电荷（Q_g）: 最大17nC @ 10V

   • 这表明在驱动时的总栅极电荷量，较小的栅极电荷有助于更快速的开关，使得其在高频应用中表现出色。

6. 块状输入电容（C_iss）: 最大580pF @ 100V

   • 适合于高频开关操作，降低了在动态工作条件下的能量损耗。

7. 功率耗散: 最大55W（在Tc条件下）

   • 表示MOSFET能够在典型工作条件下承受的最大功率，保证了在某些极端情况下的可靠性和稳定性。

8. 工作温度范围: -55°C 到 150°C

   • 广泛的工作温度范围提供了在苛刻环境条件下应用的可能性。

9. 安装类型: 表面贴装型 (SMD)

   • 采用表面贴装技术，简化了生产过程和PCB布局，有效节省了空间并提高了产品的可靠性。

封装信息

STL13N60M2采用PowerFlat™（5x6）HV封装，这种设计不仅优化了散热性能，还提供了小巧的尺寸，适合紧凑型电路的应用。这种封装适合于高功率和高热流密度的环境，有助于将电路设计简化并降低整体成本。

应用领域

STL13N60M2适用范围广泛，包括但不限于：

• 开关电源（SMPS）
• 电机控制
• 不间断电源（UPS）
• 逆变器和电源转换器
• 电力电子设备
• 高频开关应用

总结

总而言之，STL13N60M2作为意法半导体的一款高性能N通道MOSFET，凭借其优越的电气性能、广泛的应用潜力和高效的散热特性，成为电源管理和高频开关应用的理想选择。用户可依赖其稳定的性能和可靠的工作温度范围，以满足各种电子设计需求。在不断变化和进步的电子行业中，STL13N60M2将继续为设计师们提供创新的解决方案。