型号:

IRF9520PBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:TO-220AB-3
批次:-
包装:管装
重量:2.67g
其他:
IRF9520PBF 产品实物图片
IRF9520PBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 60W 100V 6.8A 1个P沟道 TO-220AB-3
库存数量
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最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.58
1000+
2.46
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)4.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)600mΩ@10V,4.1A
功率(Pd)60W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18nC
输入电容(Ciss@Vds)390pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)45pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

IRF9520PBF 产品概述

概述

IRF9520PBF是由VISHAY(威世半导体)公司出品的一款场效应管(MOSFET),采用P型沟道设计,具有良好的导通性能和高功率处理能力。该 MOSFET 的额定参数使其适合在多种高效能开关电源以及电机驱动应用中使用。IRF9520PBF的封装形式为TO-220AB-3,便于实现高效散热,广泛应用于工业、汽车电子及消费电子产品中。

主要规格

  • FET 类型: P通道 MOSFET
  • 漏源电压(Vdss): 100V
  • 连续漏极电流 (Id): 6.8A(在 25°C 时的热循环条件下)
  • 栅极驱动电压: 最大 Rds On 在 10V 下
  • 导通电阻: 最大值为600毫欧,在4.1A和10V条件下
  • 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为4V(在250μA下测试)
  • 栅极电荷 (Qg): 在10V条件下,最大值为18nC
  • 最大栅源电压 (Vgs): ±20V
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为390pF(在25V下)
  • 功率耗散: 最大为60W(在Tc的条件下)
  • 工作温度范围: -55°C 至 175°C(TJ)
  • 安装类型: 通孔
  • 封装形式: TO-220AB-3

应用领域

IRF9520PBF由于其优秀的电气特性和热性能,非常适合用于以下应用领域:

  1. 开关电源: 高效能的开关电源设计中,IRF9520PBF可以有效控制能量的转换,减小能量损耗。
  2. 电机控制: 该器件能够承受高电流和高电压,在电机驱动电路中表现出色,适合用于无刷电机及步进电机的驱动。
  3. 可再生能源系统: 在光伏和风能等可再生能源系统中,IRF9520PBF可以用作逆变器中的开关元件,提升系统效率。
  4. 汽车电子: 随着汽车电气化程度的提高,IRF9520PBF可被应用于电动车辆的控制电路中,具备高效的电源管理和电动机驱动功能。
  5. 消费电子: 在各种消费电子产品中,如电池管理系统与电源供给模块中,该MOSFET同样发挥着重要作用。

性能特点

  • 高导通能力: IRF9520PBF的导通电阻在600毫欧的低值确保了在高负载情况下产生低功耗损耗,提升了电路整体效率。
  • 宽工作温度范围: -55°C至175°C的工作温度范围使得该器件适合在极端温度环境下使用,确保了其在各种工业及汽车应用中的可靠性。
  • 良好散热性能: TO-220封装设计允许器件良好的散热,使其在高功率应用中保持稳定的工作效果。
  • 易于驱动: Vgs(th)值的设计使得该MOSFET在适当的栅极驱动下能够迅速导通,从而提高了开关速度和性能。

结论

总的来说,IRF9520PBF作为一款高性能P沟道MOSFET,凭借其显著的电气参数和优秀的热特性,成为了许多高效能电子应用中的理想选择。无论是在开关电源设计、电机控制,还是在汽车电子及可再生能源应用中,IRF9520PBF都展现了其卓越的性能与可靠性,值得广大电子工程师的信赖与选用。