型号:

FMMT493TC

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:2年内
包装:编带
重量:-
其他:
FMMT493TC 产品实物图片
FMMT493TC 一小时发货
描述:三极管(BJT) 500mW 100V 1A NPN TO-236-3
库存数量
库存:
19472
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.653
100+
0.451
500+
0.409
2500+
0.379
5000+
0.354
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)100V
功率(Pd)500mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)60@500mA,10V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)600mV@1A,100mA
工作温度-55℃~+150℃

FMMT493TC 产品概述

概述

FMMT493TC是一款高性能的NPN型双极性晶体管,广泛应用于各种电子电路中,特别是在低功耗放大和开关应用领域。该器件具有良好的电气性能和热稳定性,其额定功率为500mW,集电极电流(Ic)最大值可达1A,且电压-集射极击穿(Vceo)最大值为100V,使其适用于多种工业及消费类电子产品。

关键特性

  1. 高电压和电流处理能力

    • FMMT493TC具备100V的集射极击穿电压,能够在多种供电条件下稳定运行。
    • 最大集电极电流可达到1A,使其能够驱动较高负载,对于电机控制、小功率放大器等应用尤为适用。
  2. 优良的电流增益

    • 在典型工作条件下,其电流放大倍数(hFE)至少为100 (在250mA的Ic和10V的Vce时),这意味着该晶体管能够有效放大输入信号,提供稳定的增益性能,适合于线性放大的需求。
  3. 低饱和压降

    • FMMT493TC的Vce饱和压降在100mA和1A的条件下最大为600mV,这一点在低功耗设计中至关重要,可使电子设备减少能量损失,提高整体效率。
  4. 广泛的工作温度范围

    • 工作温度范围从-55°C 至 150°C,表明其在极端环境下仍能可靠运行,特别适合汽车电子、工业控制等恶劣环境应用。
  5. 表面贴装封装

    • 该产品采用SOT-23表面贴装封装,具有良好的散热性能和小型化设计,方便电路板的布局和集成,使其能够满足现代电子设备对紧凑设计的需求。

应用领域

FMMT493TC广泛应用于以下领域:

  • 信号放大和处理:可在音频设备、传感器接口等领域作为放大器使用,提供高增益和低噪声操作。
  • 开关电路:作为开关元件在控制电路中使用,适合于LED驱动、电机驱动等应用。
  • 电源管理:能够在电源调节和分配电路中发挥作用,以实现功率控制和管理。
  • 汽车电子:因其良好的抗温性能,适用于汽车传感器和控制系统。

封装与安装

FMMT493TC的SOT-23封装设计确保了其在现代电子产品中占有一席之地。其紧凑的尺寸有助于减少电路板面积,同时,表面贴装(SMT)技术使其在自动化流水线上易于加工安装,从而大大提高了生产效率和成本效益。

结论

FMMT493TC是一款在各类电子应用中都具有优良性能和适应性的NPN晶体管。它的高电流、电压处理能力以及优越的温度特性,使其成为现代电子设计中的一个理想选择。无论是在简单的开关应用还是复杂的信号放大器件中,FMMT493TC都能够提供出色的性能和可靠性,推动下一代电子设备的创新与发展。