型号：
ZVN4210A
品牌：DIODES(美台)
封装：EP3SC
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：N-Channel 100 V 1.5 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Vertical DMOS FET-TO-92
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.06
4000+
1.95
产品参数
属性参数值
制造商Diodes Incorporated
包装散装
零件状态有源
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)450mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.4V @ 1mA
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）700mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-92-3
封装/外壳TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
漏源电压（Vdss）100V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）100pF @ 25V
ZVN4210A 产品概述
产品背景
ZVN4210A 由 Diodes Incorporated 生产，是一款高性能的 N 通道增强型 MOSFET。MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）广泛应用于电子设备中，因其较低的导通电阻和快速的开关特性而备受青睐。ZVN4210A 采用了先进的垂直 DMOS 技术，特别适用于低电流和低压应用场景。
关键参数
- 制造商: Diodes Incorporated
- 零件状态: 有源
- 类型: N 通道 MOSFET
- 封装: TO-92-3，供应商器件封装为 EP3SC。
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C，适合多种极端环境使用。
电气特性
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 下，ZVN4210A 承载的最大连续漏极电流为 450mA。这一参数使得该器件非常适合用于低功率控制和信号开关。
- 漏源电压 (Vdss): 100V 的承受能力使其能够处理较高电压的应用场景，为设计师提供了更大的灵活性。
- 驱动电压: 该产品在 5V 和 10V 驱动电压下具有最佳的 Rds On，分别可达到 1.5 欧姆的导通电阻。在 10V 驱动电压下，当 Id 为 1.5A 时，能够有效减少功耗和热量生成，保证MOSFET的高效运行。
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 2.4V @ 1mA，表明器件的开启电压较低，有助于在低电压环境下实现高效能。
- 功率耗散: 该器件在 25°C 环境下的最大功率耗散为 700mW，能够有效管理器件的发热，确保其在性能与稳定性方面表现优异。
功能特性
ZVN4210A 最显著的特性之一是较低的导通电阻，这使其在开关电源变换器、马达控制以及其他需要具备能效与功率管理的应用中表现出色。此外，该器件的输入电容（Ciss）在 25V 下最大为 100pF，表明其在高频应用中的良好表现，适合高效开关应用。
应用场景
由于 ZVN4210A 的多种优越性能，其应用领域非常广泛，包括但不限于：
- 开关电源: 作为开关元件，可用于 DC-DC 转换器，显著提升系统的能量传输效率。
- 马达驱动: 在低电压和低功率马达驱动器中，能够快速响应并准确控制马达的启停。
- 顺序开关和信号开关: 在各种电子设备中，ZVN4210A 可以满足信号开关需求，确保信号的高效传递而不引入过多干扰。
- 消费电子产品: 适用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，提升其整体运行性能。
结论
综合考虑，ZVN4210A 是一款功能强大、性能优异的 N 通道增强型 MOSFET。其高电压和电流承载能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围，使其成为各种应用场景下的理想选择。对于需要优化能效、提高性能，使电子产品更为可靠的设计工程师而言，ZVN4210A 无疑是一个值得信赖的选择。在此数字化时代，ZVN4210A 的强大能力将助力电子行业的创新与发展。