型号:

IRFR220TRPBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:D-Pak
批次:22+
包装:编带
重量:0.391g
其他:
IRFR220TRPBF 产品实物图片
IRFR220TRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.5W;42W 200V 4.8A 1个N沟道 TO-252
库存数量
库存:
1395
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.66
100+
2.05
1000+
1.77
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)800mΩ@10V,2.9A
功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)260pF
反向传输电容(Crss@Vds)30pF
工作温度-55℃~+150℃

IRFR220TRPBF 产品概述

概述

IRFR220TRPBF是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由威世(VISHAY)公司制造。它适用于要求高效率与低导通损耗的应用场景,尤其是在电源管理、电机驱动和开关应用等领域。该器件以其优良的电气特性和宽广的工作温度范围,使其成为众多电子设备设计的理想选择。

关键参数

  1. 漏源电压(Vdss): IRFR220TRPBF能够承受高达200V的漏源电压,确保在高压电路中的可靠性与稳定性。
  2. 连续漏极电流(Id): 在工作温度为25°C时,该器件提供4.8A的连续漏极电流能力,适用于中等功率的应用需求。
  3. 导通电阻(Rds(on)): 在10V的栅极驱动电压下,在2.9A的电流条件下,最大导通电阻为800毫欧。这一低导通电阻值为降低开关损耗和提高整体系统效率提供了有力保障。
  4. 栅极阈值电压(Vgs(th)): 在250µA的漏极电流下,器件的最大栅极阈值电压为4V,确保在较低电平输入时能够稳定导通。
  5. 栅极电荷(Qg): 在10V驱动电压条件下,器件的栅极电荷为14nC,这一低电荷特性有助于减少驱动电路的功耗,提高开关速度。
  6. 输入电容(Ciss): 在25V的工作条件下,其最大输入电容为260pF,这使得驱动电路能够更加迅速地响应电压变化。

工作温度与功率

IRFR220TRPBF的工作温度范围为-55°C至150°C,适合在极端环境下使用。其功率耗散能力为2.5W(环境条件下)和42W(在结温条件下),这使得其在高功率密度应用中表现出色。此外,D-Pak封装设计不仅保证了结构的稳固性,同时也便于在表面贴装电路板上的应用。

应用场景

由于其高压、高电流、低导通电阻的特性,IRFR220TRPBF特别适合于以下应用场景:

  • 电源管理: 如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器,用于提升能效,减少功耗。
  • 电机驱动: 在直流和步进电机驱动中,作为开关元件,提供精确控制和高效能操作。
  • 开关电路: 可应用于各类负载开关和快速切换的电路设计中。

设计考虑

在使用IRFR220TRPBF时,设计工程师应注意其栅极驱动电压的选取,以确保其在导通状态下工作的同事尽量减少开关损耗。同时,合理的散热设计能够发挥其最高的功率耗散能力,进一步确保器件的可靠性与稳定性。在实际电路中,兼顾输入和输出特性的优化,能够使该器件在各种工作条件下表现出色。

总结

综合来看,IRFR220TRPBF是一款出色的N沟道MOSFET,它拥有良好的电气性能和较宽的工作范围,适用于多种高效能的电子应用。凭借其低导通电阻、高开关速度以及优秀的热管理能力,使得IRFR220TRPBF成为许多工程师优选的器件,展现出在现代电子设计中的重要价值。无论是在功率管理还是电路开关领域,它都展现了强大的兼容性和适应性,助力各种电子设备的创新与发展。