型号：
BSS214NWH6327XTSA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：SOT-323
批次：2年内
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.5A 1个N沟道 SOT-323
库存数量
库存：
5123
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.56
200+
0.362
1500+
0.314
3000+
0.278
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）140 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.2V @ 3.7µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）.8nC @ 5V
Vgs（最大值）±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）143pF @ 10V
功率耗散（最大值）500mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-SOT323-3
封装/外壳SC-70，SOT-323
BSS214NWH6327XTSA1 产品概述
一、产品简介
BSS214NWH6327XTSA1 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的小型 N 沟道 MOSFET，采用 SOT-323 (SC-70) 封装，专为低功耗应用设计。它的最大漏源电压（Vdss）为 20V，连续漏极电流（Id）为 1.5A，具有优异的开关性能和低导通电阻特性。这款 MOSFET 适用于各种电子电路，特别是需要高频开关和低导通损耗的场景，能够为设计工程师提供灵活性和高效性。
二、关键规格
- FET 类型: N 通道
- 技术: 金属氧化物场效应管（MOSFET）
- 漏源电压 (Vdss): 20V
- 最大连续漏极电流 (Id @ 25°C): 1.5A
- 驱动电压: 2.5V - 4.5V 可实现不同的 Rds(on) 特性
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 140 毫欧 @ 1.5A，4.5V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 1.2V @ 3.7µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大 0.8nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss): 最大 143pF @ 10V
- 功率耗散: 最大 500mW（Ta）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（TJ）
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装/外壳: SOT-323, SC-70
三、应用领域
BSS214NWH6327XTSA1 由于其紧凑型封装和卓越的性能，非常适合以下应用：
- 便携式电子设备: 由于低功耗特性，这款 MOSFET 非常适合用于手机、平板电脑等移动设备电源管理。
- 开关电源: 采用 BSS214NWH6327XTSA1 可以在开关电源中有效减少导通损耗，提高系统的整体效率。
- LED 驱动器: 在 LED 照明系统中，使用该 MOSFET 可以有效控制 LED 的电流，从而实现亮度调控和节能。
- 汽车电子: 能够承受高温和恶劣环境，使其非常适用于汽车、家庭电器等高温条件的应用。
- 工业控制: 同样适用于需要高频开关和稳压的工业控制电路。
四、产品优点
- 高能效: 低 Rds(on) 特性确保实现高效能，减少热量产生，从而延长系统的使用寿命。
- 广泛的工作温度范围: -55°C 至 150°C 的温度范围使该 MOSFET 能在各种环境中运行，以满足不同工业应用的要求。
- 紧凑的封装设计: SOT-323 封装能够帮助降低电路布局的空间需求，适合于体积有限的现代电子设备设计。
- 可靠性高: 作为英飞凌出品，该产品享有良好的市场信誉和质量保证，适用于严苛的工业标准。
五、结论
BSS214NWH6327XTSA1 是一款功能强大且具备高度可靠性的 N 沟道 MOSFET，凭借其出色的电气性能与稳定性，能够满足各种电子应用的需求。无论是在高效电源管理、信号切换，还是在高频开关应用中，它都是理想之选。设计工程师可以通过集成 BSS214NWH6327XTSA1 来提升他们的产品性能与能效，从而在竞争激烈的市场中获得优势。通过将这一元件应用于设计中，工程师能够有效降低系统成本，提高设计的灵活性与适应性，助力电子设备更高效地运行。