型号：
BSS126H6327XTSA2
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：SOT-23-3
批次：2年内
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：绝缘栅场效应管（MOSFET）
库存数量
库存：
15637
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.756
200+
0.521
1500+
0.473
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)21mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）0V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）500 欧姆 @ 16mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.6V @ 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）2.1nC @ 5V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）28pF @ 25V
FET 功能耗尽模式
功率耗散（最大值）500mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS126H6327XTSA2 产品概述
一、产品简介
BSS126H6327XTSA2是由英飞凌（Infineon）公司制造的一款高性能N通道绝缘栅场效应管（MOSFET），具有高电压和小型化特性。其主要应用包括开关电源、各种电子控制电路，以及自动化设备和数据通信设备中的功率管理。该元器件采用SOT-23-3封装，适合于表面贴装技术（SMT），在现代电子产品中显示出广泛的适用性。
二、基本参数
该MOSFET具有以下关键参数：
- FET 类型：N通道，适合于多种类型的电路设计。
- 漏源电压（Vdss）：600V，允许其在高电压环境下稳定工作，与大多数高压电源设计相兼容。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C下，最大为21mA，能够处理相对较小的负载电流。
- 导通电阻（Rds On）：最大值为500Ω @ 16mA和10V电压下，显示该器件在特定条件下的低导通损耗。
- 栅源电压（Vgs）：最大为±20V，此范围内可以保证器件的安全操作。
- 输入电容（Ciss）：28pF @ 25V，标示了器件的切换速度和驱动能力。
- 栅极电荷（Qg）：最大为2.1nC @ 5V，这对于高频开关应用特别重要。
- 功率耗散（Pd）：最大值为500mW，适合于低功率的应用场景。
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C，能够在极端环境下稳定工作，适用于汽车及工业应用。
三、应用场景
BSS126H6327XTSA2 MOSFET因其显著的技术特性被广泛应用于：
- 开关电源：在高效率AC-DC或DC-DC变换器中，该器件可作为开关元件，帮助提高电源效率并降低功率损耗。
- 信号开关：在数据通信和信号处理系统中，用作低电流信号开关，提供低电阻通路。
- 自动化设备：在电动机驱动和控制系统中，该MOSFET可作为重要的功率开关元件，保证高效可靠的操作。
- LED驱动：适用于LED照明电路中，能实现高效的开关特性。
四、优缺点
优势：
- 高耐压能力：600V的漏源电压使其能够稳定地运行于高压环境。
- 小型化封装：SOT-23-3封装设计，小巧且适合表面贴装，大幅度提升设计灵活性。
- 广泛的工作温度范围：从-55°C到150°C，增强了适应环境的能力。
缺点：
- 最大漏极电流相对较低：仅21mA的连续漏电流，限制了其在高功率应用中的使用。
- 导通电阻较高：500Ω的最大导通电阻在某些应用中可能导致能效损失。
五、总结
总的来说，BSS126H6327XTSA2是一款高耐压、小型N通道MOSFET，适合用于各种需要低功耗、高稳定性操作的应用场合。它的特点使其非常适合现代电子设备的设计与集成，尤其是在高压和极端环境下的应用领域。选择BSS126H6327XTSA2将为项目带来灵活性和可靠性。