BSS119NH6327XTSA1 产品概述
BSS119NH6327XTSA1 是一款来自英飞凌(Infineon)公司的 N 通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),设计用于多种电子应用需求。其优异的性能参数使其成为自动化、消费电子和电源管理等领域的理想选择。以下是该器件更为详细的介绍。
1. 主要特性与技术参数
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET
- 漏源电压(Vdss):100V,适用于高电压环境
- 连续漏极电流(Id):190mA(在25°C时),提供稳定的电流处理能力
- 驱动电压:最小 Rds(on) 可在4.5V和10V下实现,便于多种应用电压下的驱动
- 导通电阻(Rds(on)):在190mA、10V时,最大值为6欧姆,确保低损耗和高效率
- 栅源阈值电压(Vgs(th)):在不同 Id(13μA)下,最大值为2.3V,确保对驱动信号的良好响应
- 栅极电荷(Qg):在10V操作时,最大值仅为0.6nC,表明快速开关能力,从而提高整体性能
- 输入电容(Ciss):在25V下的最大值为20.9pF,适应高频操作
- 功率耗散(Pd):最大功耗为500mW,支持可靠工作和长寿命
- 工作温度范围:从-55°C到150°C,具有广泛的工作条件适应能力
- 安装类型:表面贴装型(SMD),便于自动化生产的装配
- 供应商器件封装:采用 SOT-23-3 封装,紧凑设计优化了空间利用率
- 多种封装可选:包括 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 提供不同布局需求的支持
2. 应用场景
BSS119NH6327XTSA1 MOSFET 适用于多种场景,包括但不限于:
- 电源管理:在DC-DC转换器、开关电源等设备中作为开关元件使用,实现高效的电能转换
- 信号调制:在音频和视频信号处理电路中,作为开关控制信号传输
- LED 驱动:在LED驱动电路中,作为稳压元件,确保供电电流的稳定
- 自动化设备:在需要高电流控制的传感器和执行器中,BSS119 可用于高效驱动
- 消费电子:广泛应用于家电、智能手机及各类便携设备的电源管理和开关控制
3. 性能优势
BSS119NH6327XTSA1 的 N 通道设计在效率、功耗管理、热稳定性等方面表现出色。其低导通电阻和快速开关性能使其在电源转换和电流控制中表现尤为突出。此外,宽广的工作温度范围使得该 MOSFET 能够在极端环境下稳定工作,为设计者提供更大灵活性。
4. 总结
BSS119NH6327XTSA1 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用灵活性,适合于现代电子设计中的多种需求。英飞凌的品牌保证了其品质与可靠性,适合应用于需要高效电源管理和电流控制的场合。对于寻求高效、可靠解决方案的工程师和设计师而言,BSS119NH6327XTSA1 是一个值得信赖的选择。