型号：
BSP89H6327XTSA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：SOT-223
批次：24+
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 1.8W 240V 350mA 1个N沟道 SOT-223-4
库存数量
库存：
3115
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.48
50+
1.14
产品参数
属性参数值
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）240V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)350mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）6 欧姆 @ 350mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.8V @ 108µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）6.4nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）140pF @ 25V
功率耗散（最大值）1.8W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-SOT223-4
封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
产品概述：BSP89H6327XTSA1
一、简介
BSP89H6327XTSA1是一款高性能的N通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）出品。该器件以其卓越的电性能和广泛的适用性，成为各类电子电路中的重要组成部分，尤其适合高压开关和功率控制的应用场景。
二、主要参数
BSP89H6327XTSA1的基本参数如下：
- FET类型：N通道
- 技术：MOSFET（基于金属氧化物技术）
- 漏源电压（Vdss）：最大240V
- 连续漏极电流（Id）：350mA（在25°C环境温度下）
- 导通电压（Vgs）：支持4.5V至10V的驱动电压，确保优良的开关性能
- 最大导通电阻：在10V和350mA时，最大导通电阻为6欧姆
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大1.8V（在108μA测量的情况下）
- 栅极电荷（Qg）：最大6.4nC（在10V下测得）
- 栅源电压（Vgs）：最大±20V
- 输入电容（Ciss）：在25V下最大为140pF
- 功率耗散：最大为1.8W
- 工作温度范围：-55°C至150°C
- 外壳封装类型：PG-SOT223-4及其他封装如TO-261-4和TO-261AA
三、应用领域
BSP89H6327XTSA1在多个领域内展现出极强的适应性。其主要应用包括但不限于：
- 电源管理：在开关电源、线性稳压器及直流-直流转换器中，可以作为高侧或低侧开关，极大地提高能效。
- 功率放大：在音频和射频放大电路中起到信号放大和控制的作用。
- 电动机控制：应用在电动机驱动电路中，可用于调速、启停及反向等控制。
- LED驱动：在LED照明解决方案中，可以用来稳定输出电流，提供更好的色彩还原度。
- 汽车电子：在汽车的电源管理、负载控制及智能能源系统中，也有着广泛的应用。
四、技术优势
- 高压性能：BSP89H6327XTSA1具备240V的高漏源电压能力，适合高压应用，更加安全稳定。
- 低导通电阻：6欧姆的导通电阻确保了低能量损耗，适应要求高效率的电源线路。
- 宽工作温度范围：设备能够在-55°C至150°C范围内稳定工作，适合各种环境条件。
- 小型封装：采用SOT-223封装，减小占板面积，便于表面贴装和自动化生产，提高生产效率。
五、结论
综上所述，BSP89H6327XTSA1是一款优秀的N通道MOSFET，其高效能和出色的电性能使其在现代电子设备中得到了广泛的应用。英飞凌作为行业领军企业，其产品在设计与制造上均经过严格把控，确保了BSP89H6327XTSA1具有可靠的性能和长久的使用寿命。对于电源管理、功率放大、电动机控制等领域的设计师而言，BSP89H6327XTSA1无疑是一个值得信赖的选择。