SI4463CDY-T1-GE3

产品概述：SI4463CDY-T1-GE3

一、产品简介

SI4463CDY-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET场效应管，专为需要高电流和高效率的应用而设计。其优秀的电气特性和鲁棒性使得它成为各种电子电路中理想的选择，尤其是在功率控制和开关电源等领域。VISHAY（威世）作为行业领先的半导体制造商，确保了该产品在多种环境下的可靠性和稳定性。

二、产品特点

1. 高电流承载能力：SI4463CDY-T1-GE3在25°C的连续漏极电流可达13.6A，而在更高的温度下（Tc）可达到49A，使其能够满足高功率应用的需求。
2. 低导通电阻：导通电阻（Rds On）在10V Vgs条件下，仅为8毫欧，这在降低功率损耗和提高系统效率方面是至关重要的。此特性特别适合于需要高效能的DC-DC转换器和电机驱动应用。
3. 宽工作温度范围：该器件具有-55°C至150°C的工作温度范围，适合于苛刻的环境条件，可广泛应用于汽车、工业和通信等领域。
4. 易于驱动：门极驱动电压范围为2.5V到10V，确保与各种逻辑电平兼容，使得设计电路时的灵活性增大。
5. 封装形式：采用小型8-SOIC封装，尺寸为3.90mm宽，适合表面贴装，能够在较小的电路板空间内实现高效布局。

三、技术规格

• FET类型：P沟道MOSFET
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 最大连续漏电流（Id）：13.6A (Ta), 49A (Tc)
• 导通电阻：最大8毫欧 @ 10V，13A
• 门极阈值电压（Vgs(th)）：最大1.4V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）：最大162nC @ 10V
• 输入电容（Ciss）：最大4250pF @ 15V
• 功率耗散：最大2.7W (Ta), 5W (Tc)
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-SOIC

四、应用领域

SI4463CDY-T1-GE3 MOSFET广泛用于以下几种应用场景：

1. 开关电源：高效率的电源转换需要MOSFET的低导通电阻来减少能量损耗。
2. 电池管理系统：在电池充电和放电控制中，该器件通过快速开关和低电阻性能来提高系统的总体效率。
3. 电机驱动：为电动机和伺服电机提供可靠的功率控制，有助于实现精确的运动控制和能量管理。
4. LED驱动：在大功率LED照明系统中，通过调节电流实现亮度控制。
5. 汽车电子：在电动汽车和传统汽车的多种电子控制单元中，该FET的宽温度范围和高可靠性能够保证其在复杂环境中的稳定运行。

五、总结

SI4463CDY-T1-GE3是一款优秀的P沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流承载能力及出色的温度特性，使其成为多种电子设计的理想选择。无论是在开关电源、汽车电子还是电池管理系统中，该产品都可以凭借其卓越的性能，为用户提供更多的灵活性和高效的解决方案。VISHAY（威世）的专业制造背景，确保了该产品在任何应用场景下的可靠性与性能。选择SI4463CDY-T1-GE3，将为电子设计的成功提供坚实的基础。