型号:

IRFR430ATRPBF

品牌:VISHAY(威世)
封装:D-Pak
批次:2年内
包装:编带
重量:5.49g
其他:
IRFR430ATRPBF 产品实物图片
IRFR430ATRPBF 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 110W 500V 5A 1个N沟道 DPAK
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2.09
2000+
2
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)3.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.7Ω@10V,3.0A
功率(Pd)110W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)24nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)490pF
反向传输电容(Crss@Vds)4.5pF@1.0V
工作温度-55℃~+150℃

IRFR430ATRPBF 产品概述

1. 产品简介

IRFR430ATRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),由威世(VISHAY)公司生产。该器件专为高效能、高可靠性的电源管理与开关应用而设计,具有出色的导通能力和低导通电阻,适用于广泛的工业和消费类电子产品。

2. 主要特性

  • 漏源电压(Vdss):500V,适合在高压环境下工作,使其成为电机驱动、开关电源和逆变器等应用的理想选择。
  • 持续漏极电流(Id):5A,确保器件在各种负载条件下的稳定性。
  • 导通电阻(Rds(on)):最大值为1.7Ω(@ 3A, 10V),这使得其在动态负载条件下具有较低的能量损耗和发热特性。
  • 栅源电压(Vgs)最大值:±30V,提供了额外的设计灵活性,确保栅极驱动电压能够承受较大波动。
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C(TJ),适合各种严苛的工作环境和条件。

3. 性能参数

  • 栅极阈值电压(Vgs(th)):最大值为4.5V(@ 250µA),表明该器件在相对低的栅源电压下能够迅速开启,使其在低电压驱动下亦可高效工作。
  • 输入电容(Ciss):最大值为490pF(@ 25V),合理的输入电容确保了高频操作中的稳定性和快速开关性能。
  • 栅极充电量(Qg):最大值为24nC(@ 10V),进一步提高了开关频率时的效率表现。
  • 功率耗散(Pd):最大可达110W(@ Tc),提供可靠的热管理能力,适合长时间高负载工作。

4. 封装与安装

IRFR430ATRPBF 采用 D-Pak 封装(TO-252-3),适合表面贴装(SMT)技术,有助于提升PCB的设计密度。D-Pak 封装不仅支持良好的散热性能,还简化了器件的自动化组装过程。

5. 应用领域

该 MOSFET 适用于多种应用,包括:

  • 开关电源(SMPS)
  • 电动机驱动
  • 高频逆变器
  • 工业自动化设备
  • 升压和降压转换器

6. 结论

IRFR430ATRPBF 是一款兼具高压、大电流和高效率特性的 MOSFET,适合用于多种高性能电源管理解决方案。其卓越的导通电阻和广泛的工作温度范围,使其成为工业和消费类电子应用中不可或缺的元件。凭借威世的信誉和科技积累,此器件将在电源设计中提供强有力的支持与信赖,推动电路设计的更高效率和稳定性。