型号:

BSS87,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-89
批次:21+
包装:编带
重量:0.14g
其他:
BSS87,115 产品实物图片
BSS87,115 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 580mW;12.5W 200V 400mA 1个N沟道 SOT-89-3
库存数量
库存:
2
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.12
50+
0.859
1000+
0.791
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)400mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@10V,400mA
功率(Pd)580mW;12.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.8V@1mA
输入电容(Ciss@Vds)120pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

BSS87 和 BSS115 产品概述

1. 产品简介

BSS87 和 BSS115 是由 Nexperia(安世)生产的 N 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计专注于高效能、可靠性和多样化的应用。它们属于同一系列,具有相似的电气特性和封装设计,广泛应用于各种电子电路中。

2. 基本参数

  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(开关和放大应用)
  • 漏源电压(Vdss): 200V,适用于高电压应用。
  • 25°C 时连续漏极电流 (Id): 400mA,适合用于低功率和中功率电路。
  • 驱动电压: 在 Vgs = 10V 时,可保证最小 Rds(on)。
  • 导通电阻: 最大值为 3 欧姆(在 400mA,10V 时),确保在开启状态下的高效传导。
  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 2.8V (@ 1mA),说明开启此 FET 的驱动电压相对较低。
  • 最大 Vgs: ±20V,保证了电路设计的灵活性。
  • 输入电容 (Ciss): 最大值为 120pF(@ 25V),表现出较低的输入电荷,使其在高频应用中仍然保持良好的性能。
  • 功率耗散: 最大功率为 580mW(在 25°C 时)和 12.5W(在管壳温度 Tc 下),提供广泛的散热能力以应对不同的工作环境。
  • 工作温度范围: -55°C 到 150°C(TJ),使其适用于严苛的工作条件。

3. 封装与安装类型

BSS87 和 BSS115 都采用 SOT-89 表面贴装型封装(TO-243AA),其紧凑的体积及封装设计适合高密度组件的布局,广泛应用于便携式和消费电子产品。同时,表面贴装技术简化了焊接过程,提高了生产效率。

4. 应用场景

BSS87 和 BSS115 的广泛应用包括但不限于以下几个领域:

  • 开关电源: 由于其高开关速度和承受高电压的能力,适合用作开关模式电源中的开关器件。
  • 信号放大器: 在小信号放大电路中,其低导通电阻特性确保良好的线性度与增益带宽。
  • 消费类电子产品: 适用于各种移动设备及便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
  • 汽车电子: 应对严苛环境下的电路保护与开关控制,确保汽车电气安全。
  • 工业控制: 在下游设备中如继电器驱动和电机控制等高效电源控制解决方案中也有很大市场。

5. 性能优势

BSS87 和 BSS115 的设计不仅侧重于高效能与高压应用,更在性能方面有显著优势:

  • 高可靠性: 在宽工作温度范围内表现稳定,适合各种应用场景。
  • 低功耗: 较低的导通电阻和阈值电压使其在工作时功耗降低,提升整体能效。
  • 优异的电性能: 快速开关特性、低输入电容和合理的功率耗散使得它在高频操作中表现卓越。

6. 总结

总结来说,BSS87 和 BSS115 MOSFET 是性能卓越、适用范围广泛的N沟道场效应管,适合多种应用领域。凭借其出色的电气参数和良好的工作温度范围,这一系列 MOSFET 不仅满足了现代电子设备的设计需求,还为未来的创新应用提供了坚实的基础。对于开发者和工程师而言,选择这些器件能有效提升产品的性能与可靠性。