描述：场效应管(MOSFET) 1W 55V 5.1A 1个N沟道 SOT-223-3
库存数量
库存：
2500
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.02
100+
1.56
1250+
1.36
2500+
1.29
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)5.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)57.5mΩ@10V,3.1A
功率(Pd)2.8W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)14nC
输入电容(Ciss@Vds)340pF
反向传输电容(Crss@Vds)39pF
工作温度-55℃~+150℃
产品概述 - IRFL024ZTRPBF
制造商：Infineon Technologies
系列：HEXFET®
类型：N通道MOSFET
产品简介
IRFL024ZTRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET，属于Infineon的HEXFET®系列。该元器件采用SOT-223封装，适合表面贴装，广泛应用于功率管理、开关电源及各种电子设备中。凭借其卓越的电压和电流性能，IRFL024ZTRPBF是电源设计师和工程师的理想选择。
主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 55V
- 连续漏极电流 (Id): 5.1A (在25°C环境温度下)
- 驱动电压 (Vgs): 最大值为±20V
- 导通电阻 (Rds(on)): 57.5毫欧 (在Id=3.1A，Vgs=10V时)
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为4V (在250µA的漏电流条件下)
- 功率耗散: 最大值为1W (在环境温度下)
- 工作温度范围: -55°C至150°C (结温TJ)
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为14nC (在Vgs=10V时)
- 输入电容 (Ciss): 最大值为340pF (在Vds=25V时)
结构与封装
IRFL024ZTRPBF采用SOT-223封装设计，具有紧凑的体积和高度的可靠性，非常适合有限空间的电路板设计。该封装支持表面贴装技术，简化了组装和焊接工艺，提高了生产效率。
应用场景
IRFL024ZTRPBF MOSFET的特性使其适用于各种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源：利用其高频开关能力和低导通电阻，显著提高转换效率。
- DC-DC转换器：在不同电压之间有效调节功率，确保设备高效运行。
- 电机驱动：控制电机的启停及转速调节，实现对电动机的精确控制。
- 电源管理：广泛应用于各种电子产品中，实现过流保护和其他电源管理功能。
- LED驱动电路：可用于高效的LED驱动电路，增强照明效果。
性能优势
- 高效能：因其低导通电阻和高最大漏源电压，IRFL024ZTRPBF MOSFET能够有效降低能量损耗，提升整体电路效率。
- 宽广的工作温度范围：该MOSFET可以在恶劣环境下稳定工作，适用于汽车电子、工业设备等高温应用场合。
- 高可靠性：基于Infineon的先进制造工艺，IRFL024ZTRPBF在长期使用中展现出良好的热稳定性和电气耐受性。
- 易于驱动：较低的栅极电荷简化了驱动电路的设计，实现了更快速的开关性能，适合高速应用。
结论
IRFL024ZTRPBF是一款可靠且高效的N沟道MOSFET，凭借其优异的电气特性和灵活的应用范围，成为现代电源管理和开关应用中的重要选择。无论是在设计新产品，还是在升级现有设备，IRFL024ZTRPBF都能提供强大的性能支持，帮助科技工程师实现更高效、紧凑的电路设计。选择IRFL024ZTRPBF，无疑是您追求高性能和高可靠性电子元器件的明智之选。