型号:

STL13N60M6

品牌:ST(意法半导体)
封装:PowerFLAT-5x6-4
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
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STL13N60M6 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) STL13N60M6 PowerFLAT 5x6-4
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4.35
3000+
4.18
产品参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)415mΩ@10V,3.5A
功率(Pd)52W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.25V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)13nC
输入电容(Ciss@Vds)509pF@100V
反向传输电容(Crss@Vds)4.2pF@100V
工作温度-55℃~+150℃

STL13N60M6 产品概述

STL13N60M6 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 通道 MOSFET,属于其 MDmesh™ M6 系列。该系列 MOSFET 设计用于满足现代功率电子应用的需求,特别是在高效能和高温工作环境下的应用。具有低导通电阻和高电流负载能力,该器件适用于各种需要电源开关和功率管理的场景。

关键特性

  1. 工作电压和电流能力: STL13N60M6 的漏源电压(Vdss)达到 600V,使其适用于多种高电压应用。其连续漏极电流(Id)可达 7A(在 25°C 时),为高电流负载提供了可靠支持。

  2. 导通电阻: 本器件在 10V 驱动电压下,最大导通电阻(Rds(on))为 415 毫欧(在 3.5A 时),这为降低功率损耗提供了良好的支持,并增强了能效比。

  3. 阈值电压: STL13N60M6 的栅源阈值电压(Vgs(th))最大值为 4.75V(在 250µA 时),使其能够与较低电压的驱动信号兼容,提升设计的灵活性。

  4. 功耗和热管理: 器件的最大功率耗散能力为 52W(在 Tc 条件下),在高温应用中表现出色。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,能够适应严苛的环境条件,尤其在工业和汽车电子等领域。

  5. 封装与安装: STL13N60M6 采用的 PowerFlat™(5x6)封装实现了紧凑型设计,具备良好的散热能力,适合表面贴装(SMD)工艺,有利于电子设备的小型化。

  6. 电绝缘和安全边际: 该器件的最大 Vgs 为 ±25V,提供了安全的电气绝缘,减少了在设计中的故障风险,并能经受瞬时过电压的冲击。

应用场景

STL13N60M6 N 通道 MOSFET 广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 电源管理:用于开关电源及高效变换器中,帮助优化能量转换效率。
  • 电机驱动系统:作为电动机控制电路中的开关元件,能够有效控制电机的启停与调速。
  • 汽车电子:在汽车内部的电源分配与管理模块中,承担功率开关的角色。
  • 工业控制:在工业自动化设备中,提供高效的开关控制。
  • LED 驱动:为LED灯具提供恒流驱动,确保光源的稳定性和寿命。

总结

总的来说,STL13N60M6 是一款卓越的 N 通道 MOSFET,凭借其高电压和电流能力、低导通电阻、宽泛的工作温度范围,以及良好的热管理特性,成为现代电子设计中的理想组件。无论是在消费电子、汽车电子还是工业应用中,该器件都展现出强大的性能和可靠性,是设计师在选择功率开关时不可或缺的选择。凭借意法半导体的前沿技术,STL13N60M6 定会为用户带来更高的设计灵活性与系统效率。