描述：场效应管(MOSFET) 1.2W 30V 5.8A 1个P沟道 SOIC-8
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最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.659
2500+
0.61
产品参数
属性参数值
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）32 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）19.3nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）931pF @ 15V
功率耗散（最大值）1.2W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SO
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
DMP3037LSS-13 产品概述
DMP3037LSS-13是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商DIODES(美台)设计和生产。该器件专为高效能开关和电源管理应用而优化，具备低导通电阻和优越的热稳定性，因此在各种电子设备中都有着广泛的应用。
主要参数与特性
极性与类型： DMP3037LSS-13属于P沟道MOSFET，适用于需要将负载连接至正电源的电路设计。相较于N沟道MOSFET，P沟道MOSFET在高端开关应用中表现出较为优越的特性，尤其在简单的高边开关设计中。
电气特性：
- 最大漏源电压（Vdss）：该器件可承受最高30V的漏源电压，这使得其在多种电源管理和电机驱动应用中具有良好的兼容性。
- 连续漏极电流（Id）：DMP3037LSS-13在25°C环境温度下的最大连续漏极电流可达5.8A，确保其可以支持高负载工作。
- 导通电阻（Rds On）：在10V的栅源电压下，导通电阻的最大值仅为32毫欧@7A，极低的导通电阻意味着在开关过程中损耗的能量非常少，从而提高了整体的系统效率。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：该器件的栅极阈值电压最大值为2.4V（@250µA），可确保在较低的控制电压下能够可靠地导通，从而提高设计的灵活性和兼容性。
电容特性：
- 输入电容（Ciss）：最大输入电容为931pF（@15V），有助于降低开关频率时的驱动功耗，并改善波形的重建能力。
- 栅极电荷（Qg）：在10V栅源电压下，栅极电荷大小为19.3nC，反映出其在高频开通和关断时的优越性能。
功率与热特性：
- 最大功率耗散：该器件的最大功率耗散能力为1.2W，确保在正常工作条件下不会过热，提升了系统的稳定性与可靠性。
- 工作温度范围：DMP3037LSS-13的工作温度范围为-55°C至150°C，这使得该部件非常适合于高温或极端环境下的应用场景。
封装与安装
DMP3037LSS-13采用了SO-8表面贴装型封装，尺寸为0.154”（3.90mm宽）。这种紧凑型设计不仅节省了板面积，也便于自动贴片装配，显著提高了生产效率。由于其优异的热传导性能和小型化特点，在空间有限的设备中，DMP3037LSS-13是极具竞争力的选择。
应用领域
DMP3037LSS-13适用于多种电子设计，特别是在以下领域：
- 电源管理：用于开关电源、高效直流-直流转换器等。
- 电机驱动：在步进电机、直流电机的驱动电路中，能有效控制电机的启停状态。
- 消费电子：广泛应用于智能手机、平板电脑、以及其他便携式电子产品中。
- 汽车电子：在电动汽车和混合动力汽车中，提供电源管理和负载控制。
结论
DMP3037LSS-13是一款集高效能与可靠性于一体的P沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、高温工作能力和灵活的电气性能，使其在众多应用中，尤其是电源管理和驱动控制领域，成为一个优质选择。选择DMP3037LSS-13将为您的设计提供强大的性能支持，助力实现更高效的电子系统。