型号:

FZT755TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:2年内
包装:编带
重量:-
其他:
FZT755TA 产品实物图片
FZT755TA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2W 150V 1A PNP SOT-223-3
库存数量
库存:
850
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.4
50+
1.84
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)150V
功率(Pd)1.6W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)50@500mA,5V
特征频率(fT)30MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃

FZT755TA 产品概述

FZT755TA 是一款高性能的PNP型晶体管,专为各种电子应用设计。该器件的核心特点包括能够承受高达150V的集射极击穿电压和高达1A的集电极电流,使其在多种高压和大电流电路中表现优异。FZT755TA 主要应用于开关电源、功率放大器以及其他需要高效率和高可靠性的电子设备中。

关键参数

  1. 晶体管类型: FZT755TA 是一款PNP型晶体管,这意味着它的主要电流载体是孔(正电荷载体),适合用于电路中大量负载的控制。PNP型晶体管常被用于低侧开关和其他反向偏置应用中。

  2. 电流 - 集电极 (Ic): 该器件的最大集电极电流为1A,适合驱动各种低电流负载。在设计中,合理选择其工作点可以确保器件在该电流下稳定运行,提高电路设计的灵活性。

  3. 电压 - 集射极击穿: FZT755TA 的最大集射极击穿电压可达150V,适合在高压环境中使用,能够应对一定程度的电压冲击及电源波动,这是设计高压电源时非常重要的参数。

  4. Vce 饱和压降: 当Ic为1A时,Vce饱和压降的最大值为500mV,这意味着在正常导通条件下,器件的损耗较小,可以提高整体效率,并减小二次热量的产生。

  5. 工作温度: FZT755TA 在-55°C到150°C的工作范围内运行,这使得其能够在极端环境下稳定工作,适合用于工业、汽车电子等对温度要求严格的应用场景。

  6. 频率 - 跃迁: 其跃迁频率为30MHz,适合于各种高频开关应用,能够在相对较高的频率下稳定工作,这对于设计高频开关电源和调制解调器等产品至关重要。

  7. 功率 - 最大值: FZT755TA 的最大功率为2W,适合中等功率的应用,能够承受一定负载而不会轻易损坏。

  8. 封装类型: FZT755TA 采用表面贴装型封装(SOT-223),适合当今主流的PCB焊接方式,能够有效地节省空间并简化安装过程,从而提高整体设计的紧凑性和可靠性。

应用领域

FZT755TA 在多个领域广泛应用,包括但不限于:

  • 电源管理: 用于开关电源中作为开关元件,控制功率转换和分配。
  • 音频功率放大器: 在音频放大电路中作为输出阶段的驱动元件,提升信号强度。
  • 汽车电子: 在汽车电子控制单元中,用于控制电机、灯光等负载。
  • 家用电器: 在家电设备中作为控制元件,实现设备的智能化管理。

总结

FZT755TA 是一款性能卓越的PNP型晶体管,凭借其高电压、高电流能力、低饱和压降以及广泛的工作温度范围,成为高效稳健电子电路设计的理想选择。无论是在功率管理还是信号处理领域,FZT755TA 都能为用户提供可靠的解决方案,确保电子产品在多变和苛刻的环境中依然保持优异的性能和可靠性。面对不断增长的电子设备需求,FZT755TA 的优势将使其在未来的应用中继续占有一席之地。