型号:

DMN3026LVT-7

品牌:DIODES(美台)
封装:TSOT26
批次:2年内
包装:编带
重量:-
其他:
DMN3026LVT-7 产品实物图片
DMN3026LVT-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.2W 30V 6.6A 1个N沟道 TSOT-23-6
库存数量
库存:
4628
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.433
3000+
0.405
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)30mΩ@4.5V,5.8A
功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)643pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)49pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

DMN3026LVT-7 产品概述

DMN3026LVT-7 是由美台(DIODES)公司推出的一款高效能 N 通道 MOSFET,广泛应用于各种电子电路中,是现代电子设计中不可或缺的重要元器件。该元器件设计用于处理中等电压和电流,具有卓越的性能和高度的可靠性,非常适合用于开关电源、功率管理和马达驱动等应用。

核心参数

  1. 漏源电压(Vds):DMN3026LVT-7 的漏源电压可达30V,适合中低电压应用,能够轻松适应大多数家电和工业设备中的电流控制需求。

  2. 连续漏极电流(Id):该器件在25°C的环境下,能够提供最大连续漏极电流为6.6A,保证在适当的散热条件下可稳定工作,满足高负载的要求。

  3. 导通电阻:在10V的栅极驱动电压下,DMN3026LVT-7 的导通电阻(Rds On)最大为23毫欧,确保在导通时能有效降低功率损耗,提高系统的能效,这是设计高效电源管理的关键因素。

  4. 驱动电压:此款MOSFET支持在4.5V到10V的驱动电压范围内可靠工作,灵活匹配多种驱动电路设计需求,特别是在低压驱动和高效率转换应用场景中表现优异。

  5. 栅极电荷:器件的栅极电荷(Qg)在10V时为最大12.5nC,表明其在开关操作时快速响应,适合高频操作条件。

  6. 工作温度及功率耗散:DMN3026LVT-7 的工作温度范围广泛,能够在-55°C到150°C的环境中稳定工作,加上1.2W的功率耗散上限,使其在高温环境下仍然能够安全运行。

封装与安装

DMN3026LVT-7采用TSOT-26表面贴装封装,尺寸紧凑,有助于在空间有限的应用中节省板上空间。其SOT-23-6细型封装设计,适合贴片工艺,这使得其能够便捷地集成到各种电子电路中。该封装形式还有效提高了散热性能,适合高密度安装。

应用场景

DMN3026LVT-7 非常适合用于多种电子应用场景,包括但不限于:

  • DC-DC转换器:在开关电源中用于高效转换,极大提升整体能效;
  • 电机驱动:作为电机控制电路中的开关元件,提高马达的工作效率;
  • LED驱动电路:在LED照明中应用,实现LED的高效驱动;
  • 消费电子:用于各种消费类产品中,例如便携式设备和家用电器。

结论

总的来说,DMN3026LVT-7 作为一款高性能的 N 通道 MOSFET,以其出色的电气特性和可靠性,成为现代电源管理解决方案中的优选元件。其适中的电压和电流规格,加上高效的导通性能,使得该器件在众多电子产品中都有广泛的应用前景。无论是在产品设计的初期选型还是在最终的性能优化阶段,DMN3026LVT-7 都展示了其卓越的性能,有望为电子工程师带来更高的设计自由度和灵活性。