DMN3026LVT-7 是由美台(DIODES)公司推出的一款高效能 N 通道 MOSFET,广泛应用于各种电子电路中,是现代电子设计中不可或缺的重要元器件。该元器件设计用于处理中等电压和电流,具有卓越的性能和高度的可靠性,非常适合用于开关电源、功率管理和马达驱动等应用。
漏源电压(Vds):DMN3026LVT-7 的漏源电压可达30V,适合中低电压应用,能够轻松适应大多数家电和工业设备中的电流控制需求。
连续漏极电流(Id):该器件在25°C的环境下,能够提供最大连续漏极电流为6.6A,保证在适当的散热条件下可稳定工作,满足高负载的要求。
导通电阻:在10V的栅极驱动电压下,DMN3026LVT-7 的导通电阻(Rds On)最大为23毫欧,确保在导通时能有效降低功率损耗,提高系统的能效,这是设计高效电源管理的关键因素。
驱动电压:此款MOSFET支持在4.5V到10V的驱动电压范围内可靠工作,灵活匹配多种驱动电路设计需求,特别是在低压驱动和高效率转换应用场景中表现优异。
栅极电荷:器件的栅极电荷(Qg)在10V时为最大12.5nC,表明其在开关操作时快速响应,适合高频操作条件。
工作温度及功率耗散:DMN3026LVT-7 的工作温度范围广泛,能够在-55°C到150°C的环境中稳定工作,加上1.2W的功率耗散上限,使其在高温环境下仍然能够安全运行。
DMN3026LVT-7采用TSOT-26表面贴装封装,尺寸紧凑,有助于在空间有限的应用中节省板上空间。其SOT-23-6细型封装设计,适合贴片工艺,这使得其能够便捷地集成到各种电子电路中。该封装形式还有效提高了散热性能,适合高密度安装。
DMN3026LVT-7 非常适合用于多种电子应用场景,包括但不限于:
总的来说,DMN3026LVT-7 作为一款高性能的 N 通道 MOSFET,以其出色的电气特性和可靠性,成为现代电源管理解决方案中的优选元件。其适中的电压和电流规格,加上高效的导通性能,使得该器件在众多电子产品中都有广泛的应用前景。无论是在产品设计的初期选型还是在最终的性能优化阶段,DMN3026LVT-7 都展示了其卓越的性能,有望为电子工程师带来更高的设计自由度和灵活性。