型号:

DMN3110S-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:22+
包装:编带
重量:0.017g
其他:
DMN3110S-7 产品实物图片
DMN3110S-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 740mW 30V 2.5A 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.316
3000+
0.28
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)73mΩ@10V,3.1A
功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.1nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)305.8pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)39.5pF
工作温度-55℃~+150℃

DMN3110S-7 产品概述

产品概述: DMN3110S-7 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由知名半导体供应商 DIODES(美台)生产。它具有卓越的电流控制能力和优越的导通特性,特别适合低功耗和高效率的电子应用。这款 MOSFET 支持高达 30V 的漏源电压,以及 2.5A 的连续漏极电流,能够在各种严苛环境下稳定工作。

关键特点:

  1. 电压和电流特性:

    • 漏源电压(Vdss)高达 30V,确保了在多种电源条件下的安全操作。
    • 25°C 时的连续漏极电流(Id)为 2.5A,使其在中等功率应用中表现优异。
  2. 低导通电阻:

    • DMN3110S-7 在不同的栅极源电压(Vgs)条件下,具有最低的导通电阻 Rds(on) 低至 73 毫欧(在 Id = 3.1mA,Vgs = 10V 的条件下),这使得在开关过程中功率损耗最低。
  3. 栅极阈值电压:

    • Vgs(th) 的最大值为 3V @ 250µA,表明该器件在较低的控制电压下即可启动,非常适合于低电压控制系统。
  4. 高开关速度和低栅极电荷:

    • 栅极电荷(Qg)最大值为 8.6nC,在 Vgs = 10V 时的表现,使得器件具有高频开关的能力,适合高效的开关电源和驱动电路。
  5. 工作温度范围和功率耗散:

    • DMN3110S-7 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C(TJ),能够在极端环境下正常工作。
    • 功率耗散能力高达 740mW(在 Ta 条件下),使其能够处理不同的工作负载。
  6. 封装与安装类型:

    • 该器件采用 SOT-23 封装,属于表面贴装型(SMD),便于在现代电子设备中进行集成和安装。
    • 封装规格为 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,适合各种应用场合。

应用场景: DMN3110S-7 被广泛应用于:

  • 直流电源转换器
  • 开关电源(SMPS)
  • 电机驱动
  • LED 驱动和照明控制
  • 高频开关电路和基于电池的设备
  • 便携式电子产品和消费类电子

总结: DMN3110S-7 MOSFET 提供了卓越的性能和高度的可靠性,适合于多种电子设计需求。其低导通电阻、高开关速度及宽温工作范围使其在电源管理和开关应用中具有极大的优势。作为 DIODES(美台)所推出的产品,该 MOSFET 解决方案充分满足现代电子设备对高效能和小型化封装的需求,确保了其在激烈竞争的市场中的吸引力和实用性。无论是针对工业、消费电子还是汽车应用,DMN3110S-7 都是设计工程师的理想选择。