型号:

ZXMP3A16N8TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:21+
包装:编带
重量:-
其他:
ZXMP3A16N8TA 产品实物图片
ZXMP3A16N8TA 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.9W 30V 5.6A 1个P沟道 SO-8
库存数量
库存:
260
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.88
50+
2.31
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ
功率(Pd)1.9W
栅极电荷(Qg@Vgs)17.2nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)1.022nF
反向传输电容(Crss@Vds)229pF
工作温度-55℃~+150℃

ZXMP3A16N8TA 产品概述

一、产品基本信息

ZXMP3A16N8TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 P 通道 MOSFET(场效应管),采用了表面贴装型(SMD) SO-8 封装。作为一种高性能的功率开关元件,该 MOSFET 在电源管理及开关电路中广泛应用。

二、关键规格

  1. 制造商: Diodes Incorporated
  2. 零件状态: 有源
  3. FET 类型: P 通道
  4. 工作温度: -55°C ~ 150°C
  5. 电流 - 连续漏极 (Id): 5.6A(25°C时)
  6. 漏源电压 (Vdss): 30V
  7. 栅极驱动电压 (Vgs): 最大 ±20V
  8. 导通电阻 (Rds On): 最大 40 毫欧 @ 10V,4.2A
  9. 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大 1V @ 250µA
  10. 功率耗散 (Pd): 最大 1.9W
  11. 封装类型: SO-8
  12. 栅极电荷 (Qg): 最大 29.6nC @ 10V
  13. 输入电容 (Ciss): 最大 1022pF @ 15V

三、产品特点与优势

  1. 高效能: ZXMP3A16N8TA 的低导通电阻(Rds On)使得其在高电流应用中具有极低的功耗,能够有效降低发热量,提高整体电路效率。

  2. 广泛的工作温度范围: 该 MOSFET 支持 -55°C 至 150°C 的工作温度范围,适合于恶劣环境及高温应用。

  3. 优良的阈值电压特性: 其最大栅极阈值电压仅为 1V,意味着该 MOSFET 可以在更低的驱动电压下实现开关操作,进一步降低设计复杂性。

  4. 兼容性与灵活性: ZXMP3A16N8TA 采用常见的 SO-8 封装,对应于一般的PCB设计,使其在多种电路设计中具有很好的兼容性。

  5. 快速开关能力: 其栅极电荷(Qg)与输入电容(Ciss)的设计使得 ZXMP3A16N8TA 能快速响应变化,适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器、马达控制和电源管理系统。

四、应用场景

ZXMP3A16N8TA 适用于多种电源管理和开关应用,主要包括:

  1. 电源开关: 在各种电源模块中,ZXMP3A16N8TA 可以作为开关组件提供可靠的电源控制,例如在LED驱动电路、AC-DC电源转换等应用中。

  2. 马达控制: 由于其高电流承载能力和快速开关特性,该 MOSFET 非常适用于电动机驱动应用,如自动门控制、电动窗等。

  3. DC-DC 转换器: 在升压或降压转换器中,ZXMP3A16N8TA 可以用于高效率的电源转换,优化终端设备的能效。

  4. 电池管理系统: 在电池充放电管理中,可以利用该 MOSFET 进行过流保护和开关控制,提高电池的安全性与续航能力。

五、总结

ZXMP3A16N8TA 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,其具有出色的电流承载能力、优良的热管理特性和广泛的工作温度范围,这使得它在电源管理和开关电路的应用中表现优异。无论是在消费电子、工业设备,还是在汽车电子等领域,ZXMP3A16N8TA 都是一个值得信赖的选择,为设计工程师提供更大的设计灵活性与可靠性。在选择合适的POWER MOSFET 时,ZXMP3A16N8TA 将是一个理想的候选元器件。